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韩系大厂将NAND Flash移至海外生产
 

【CTIMES/SmartAuto 林彥慧 报导】   2007年04月19日 星期四

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根据外电报导,海力士、三星电子计划将分别于今年第3季、第4季将NAND Flash移至中国无锡厂及美国奥斯汀厂生产。

三星电子计划将NAND Flash移至美国奥斯汀厂生产,以改善与当地国的贸易关系,并做好当地客户管理。日前三星电子表示,三星不会效仿英特尔(Intel)在中国建设芯片工厂,中国虽然是一个正在发展的半导体市场,不过目前也是一个低价格、低水平的市场。三星电子将继续扩大目前在海外的唯一的芯片工厂,位于美国得克萨斯州的奥斯汀工厂,因为这个工厂接近美国的高端客户,附近也有受教育程度很高的人力资源。

奥斯汀厂位于美国最大的芯片生产地区里,将用来生产各种不同的动态随机存取内存(DRAM),这也是桌上型与笔记本电脑上常用的内存。此次计划增设的第二条12吋(300㎜)专用生产线,预定主要用来量产NAND Flash,产品可望于年底出货,三星电子希望藉此与美国当地客户达成良好沟通,做好客户管理,并透过当地生产,进行贸易纠纷管理,达到改善与美国贸易关系的效果。

至于海力士则是在合作伙伴意法半导体的邀请之下,计划最快于第三季在中国无锡厂的12吋生产线,生产采用60奈米制程的NAND Flash产品,无锡厂目前共有8吋及12吋共2座晶圆厂,专门生产DRAM产品,最近12吋厂的产能正在扩增当中,若是无锡厂扩产,将生产Nand Flash。

關鍵字: 三星  海力士  闪存 
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