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Dialog非挥发性电阻式RAM技术 授权与格罗方德22FDX平台
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部 报导】   2020年10月20日 星期二

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英商戴乐格半导体(Dialog Semiconductor)为电池与电源管理、Wi-Fi、蓝牙低功耗(BLE)方案及工业边缘计算方案供应商,今天与特殊工艺半导体代工厂格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)联合宣布,已就Dialog向格罗方德授权导电桥接RAM(CBRAM)技术达成协议。

该电阻式RAM(ReRAM)技术由Dialog半导体公司於2020年收购的Adesto Technologies首创。格罗方德首先将在其22FDX平台上以嵌入式非挥发性记忆体(NVM)选项提供Dialog的CBRAM,後续计画将该技术拓展到其他平台。

Dialog独有的且经过生产验证的CBRAM技术是一项低功耗的NVM解决方案,专为物联网(IoT)、5G连接、人工智慧(AI)等一系列应用而设计。低功耗、高读/写速度、更低的制造成本,对恶劣环境的耐受能力,使CBRAM特别适合消费、医疗和和特定的工业及汽车等应用。此外,CBRAM技术为这些市场中的产品所需的先进技术节点提供了具成本效益的嵌入式NVM。

Dialog半导体公司企业发展资深??总裁暨工业混合讯号业务部门总经理Mark Tyndall表示:「CBRAM是Adesto杰出的标志性储存技术之一,该技术加入到Dialog产品组合中具有重要的战略意义。此次与格罗方德的授权合作恰好证明了Dialog和Adesto融合後开展业务的速度。展??未来,我对我们和格罗方德牢固的合作关系非常有信心。此次授权协议不仅为行业提供了最先进的技术,也为Dialog在下一代系统级晶片(SoC)中采用先进CBRAM技术提供了机遇。」

格罗方德资深??总裁暨汽车、工业和多市场业务部门总经理Mike Hogan表示:「我们与Dialog的合作彰显了格罗方德在为客户进一步提供差异化优势和增值的领域加大投资的承诺。Dialog的ReRAM技术是对我们领先的eNVM解决方案系列非常好的补充。该记忆体解决方案结合我们的FDX平台,将协助我们客户进一步突破技术边界,提供新一代安全的IoT和边缘AI应用。」

Dialog的CBRAM技术克服了ReRAM常见的整合和可靠性挑战,提供了可靠且低成本的嵌入式记忆体,同时保留了ReRAM的低电压运行能力。这意味着可以实现比标准嵌入式快闪记忆体更低功耗的读写操作。

CBRAM将於2022年在22FDX平台上以嵌入式NVM选项向格罗方德的客户提供。透过IP订制,客户可以修改CBRAM单元以优化其SoC设计,提升安全性,或将单元调整成适合新的应用。此外,CBRAM作为一种「後段制程」技术,可以相对容易地整合到其他工艺节点中。

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