账号:
密码:
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
Intel 4制程技术细节曝光 具备高效能运算先进FinFET
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2022年07月04日 星期一

浏览人次:【1045】
  

英特尔近期於美国檀香山举行的年度VLSI国际研讨会,公布Intel 4制程的技术细节。相较於Intel 7,Intel 4於相同功耗提升20%以上的效能,高效能元件库(library cell)的密度则是2倍,同时达成两项关键目标:它满足开发中产品的需求,包括PC客户端的Meteor Lake,并推进先进技术和制程模组。

英特尔公布Intel 4制程的技术细节。
英特尔公布Intel 4制程的技术细节。

对於英特尔的4年之路,Intel 4是如何达成这些效能数据? Intel 4於鳍片间距、接点间距以及低层金属间距等关键尺寸(Critical Dimension),持续朝向微缩的方向前行,并同时导入设计技术偕同最隹化,缩小单一元件的尺寸。透过FinFET材料与结构上的改良提升效能,Intel 4单一N型半导体或是P型半导体,其鳍片数量从Intel 7高效能元件库的4片降低至3片。综合上述技术,使得Intel 4能够大幅增加逻辑元件密度,并缩减路径延迟和降低功耗。

Intel 7已导入自对准四重成像技术(Self-Aligned Quad Patterning、SAQP)和主动元件闸极上接点(Contact Over Active Gate、COAG)技术来提升逻辑密度。前者透过单次微影和两次沉积、蚀刻步骤,将晶圆上的微影图案缩小4倍,且没有多次微影层叠对准的问题;後者则是将闸极接点直接设在闸极上方,而非传统设在闸极的一侧,进而提升元件密度。Intel 4更进一步加入网格布线方案(gridded layout scheme),简单化并规律化电路布线,提升效能同时并改善生产良率。

随着制程微缩,电晶体上方的金属导线、接点也随之缩小;导线的电阻和线路直径呈现反比,该如何维持导线效能抑是需要克服的壁垒。Intel 4采用新的金属配方称之为强化铜(Enhanced Cu),使用铜做为导线、接点的主体,取代Intel 7所使用的钴,外层再使用钴、??包覆;此配方兼具铜的低电阻特性,并降低自由电子移动时撞击原子使其移位,进而让电路失效的电迁移(electromigration)现象,为Intel 3和未来的制程打下基础。

将光罩图案成像至晶圆上的最重要改变,可能是在於广泛的使用EUV来简化制程。英特尔不仅在现有良好解决方案中的最关键层使用EUV,而且在Intel 4的较高互连层中使用EUV,以大幅度减少光罩数量和制程步骤。其降低制程的复杂性,亦同步替未来制程节点建立技术领先地位及设备产能,英特尔将在这些制程更广泛地使用EUV,更将导入全球第一款量产型高数值孔径(High-NA)EUV系统。

關鍵字: 先进制程  高数值孔径  Intel 
相关新闻
关於与英特尔的代工合作 联发科的官方回应
ST和格罗方德将在法国建12寸晶圆厂 推动FD-SOI生态系统建设
蔡英文总统莅临美光台中A3厂 盼共创良好半导体环境
Ansys和台积电合作 针对无线晶片提供多物理场设计方法
英特尔实验室在整合光子研究取得进展
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关新品
CWFA205: WiFi+BT
原厂/品牌:鉅景
供应商:鉅景
產品類別:RF
GPS SiP Module
原厂/品牌:鉅景
供应商:鉅景
產品類別:RF
CGPA10x: GPS SiP
原厂/品牌:鉅景
供应商:鉅景
產品類別:RF
  相关产品
» NVIDIA Jetson AGX Orin 32GB生产模组开始供货
» ROHM推出车电多萤幕SerDes IC 提升车电功能安全
» ST新款40V STripFET F8 MOSFET电晶体 具备节能降噪特性
» 大联大世平推出基於Intel晶片和智合技术之ADAS与DMS方案
» 友通2022 Intel DevCup竞技 加速Edge AI应用落地
  相关文章
» 用於自由曲面设计的五大CODE V工具
» 以设计师为中心的除错解决方案可缩短验证时间
» 考量缺陷可能性,将车用IC DPPM降至零
» ST:全域快门感测器将成为电脑视觉应用首选成像技术
» ST第三代碳化矽技术问世 瞄准汽车与工业市场应用


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2022 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw