晶片制造商为智慧型手机、绘图卡、和固态硬碟等应用所建构的3D 记忆体元件，促使业界持续透过垂直增加元件尺寸和横向减小关键尺寸（CD）来降低每世代制程节点间的单位位元成本。这已把3D NAND 和 DRAM 的蚀刻深宽比推升到新的境界。

Lam Research 在其 Sense.i蚀刻平台上推出了新的 Vantex 腔体。

科林研发（Lam Research）推出最新的介电层蚀刻技术 Vantex，这是为现今市场上智慧蚀刻平台 Sense.i 所设计。以科林研发拥有的蚀刻经验为基础，此开创性设计可为目前和未来世代的 NAND 和 DRAM 记忆体元件提供更高效能与更隹扩展性。

为了能以高生产量蚀刻高深宽比特徵并达到成本缩减目标，Vantex 的新腔体设计采用比之前更高的射频（RF）功率等级。功率的增加与 RF 脉冲技术的进步相结合，可提供增进元件效能所需的严格CD控制。

3D NAND 元件的技术蓝图要求蚀刻深度能随着每个新世代的进展越来越深，因此需要提升蚀刻轮廓的均匀度。Vantex 技术可控制蚀刻的垂直角度，以满足3D 元件特徵的更严格放置要求，并在整个12寸晶圆上实现高良率。

科林研发的 Sense.i 蚀刻平台具有 Equipment IntelligenceR 功能，可从数百个监视系统和制程效能感测器收集数据。利用 Sense.i 系统中的高频宽通讯技术，Vantex 腔体针对每片晶圆收集到的数据比市场上任何其他机台都多，因此能更有效地分析和利用数据，并同时提升晶圆上（on-wafer）和晶圆至晶圆（wafer-to-wafer）效能。