服务横跨多重电子应用领域之全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）新 STGAP3S 系列碳化矽（SiC） 和 IGBT 功率开关闸极驱动器整合了最新之稳定的电隔离技术、优化的去饱和保护功能，以及灵活的米勒钳位架构。

意法半导体先进STGAP3S电隔离闸极驱动器为IGBT和SiC MOSFET 提供弹性的保护功能

STGAP3S 在闸极驱动通道与低压控制和介面电路之间采用加强型电容隔离，能够承受 9.6V 的瞬态隔离电压（VIOTM），以及 200V/ns 的共模瞬态抗扰度（Common-Mode Transient Immunity，CMTI）。透过采用先进的电隔离技术，STGAP3S 提升了空调、工厂自动化、家电等工业马达驱动装置的可靠性。新驱动器亦适用於电源和能源应用，包括充电站、储能系统、功率因数校正（PFC）、直流-直流转换器和太阳能逆变器。

STGAP3S 产品系列为开发者提供不同的产品型号选择 ，其中包括驱动电流 10A 和 6A 的产品，两者皆具有不同的欠压锁定（UVLO）和去饱和干预??值，有助於设计者选择最隹的元件，以搭配其所选之 SiC MOSFET 或 IGBT 功率开关的效能。

去饱和保护功能提供对外部功率开关二极体的超载和短路保护，透过使用外部电阻调整功率开关二极体的关断策略，调整关断速度以最大限度地提升保护功能，同时避免出现过多的过压尖峰。欠压锁定保护可防止驱动电压不足时导通。

驱动器整合的米勒钳位架构为外部 N 通道 MOSFET 提供一个预驱动器。因此，设计者可以弹性地选择适合的干预速度，以防止感应导通，并避免交叉导通。

现有的产品型号包括驱动能力 10A 和 6A 拉／灌电流的驱动器，针对 IGBT 或 SiC 优化的去饱和侦测和UVLO ??值，让开发者所选的功率开关发挥极致性能。去饱和、UVLO 和过热保护的故障状况可透过两个专用的开漏诊断脚位通知控制器。

STGAP3SXS 现已量产，其采用 SO-16W 宽体封装。