JANS 认证代表分离式半导体产品在航太、国防与太空飞行应用中所需的最高筛选与验收等级，确保卓越的效能、品质与可靠性。Microchip Technology今日宣布，其抗辐射强化型功率 MOSFET 系列已完整符合 MIL-PRF-19500/746 的子规范要求，并且其 JANSF2N8587U3 100V N 通道 MOSFET 通过 300 Krad (Si) 总电离剂量的 JANSF 认证。

专为极端环境设计，抗辐射 MOSFET 现已供 100 Krad 至 300 Krad 的总电离剂量等级选择

Microchip 的 JANS 系列抗辐射功率元件涵盖 100－250V 电压范围，并支援 100 Krad (Si) TID。此系列现已扩展至更高等级的辐射防护能力（Radiation Hardness Assurance, RHA），率先推出的为支援 300 Krad (Si) TID 的 JANSF2N7587U3。该系列的 RH MOSFET 晶粒提供多种封装选项，包括使用通过 MIL 认证的 JANSR 晶粒之塑胶封装，为新太空及低地球轨道应用提供具成本效益的解决方案；而陶瓷封装则采用气密封装设计，适用於总剂量与单一事件效应（SEE）等辐射环境。

这些元件依据 MIL-PRF-19500/746 标准设计，并进一步强化效能，特别适用於对元件可靠性要求极高、需耐受太空恶劣环境的应用，同时有助於提升电源电路的整体稳定性与寿命。

Microchip 分离式元件产品事业群企业??总裁 Leon Gross 表示：「要达成抗辐射 MOSFET 所需的严苛规范极具挑战性，Microchip 能凭藉专有的抗辐射设计流程与技术成功达标，我们感到非常振奋。我们的先进技术为航太与国防客户提供高可靠性且具成本效益的解决方案，以因应市场与应用日益增长的需求。」

JANSF 与 JANSR 等级的抗辐射功率 MOSFET 适用於电源转换电路中的主要开关元件，包括点负载转换器、DC-DC 转换器、马达驱动与控制器，以及其他通用开关应用。这些功率 MOSFET 具备低 RDS(ON) 与低总闸极电荷，相较市场上其他产品，能提升能源效率、降低热损与强化切换效能。

Microchip 提供广泛的高可靠度解决方案，涵盖航太与国防领域所需的抗辐射容忍型（RT）与抗辐射强化型（RH）微控制器、现场可程式化闸阵列（FPGA）、以太网路实体层（Ethernet PHY）、电源元件、射频产品、时序解决方案及涵盖从裸晶粒到系统模组的分离式元件。此外，Microchip 亦提供多样化 QPL 认证产品，以更完善地支援客户需求。欲了解更多资讯，请造访 Microchip 航太与国防专页。