美国太空总署 (NASA) 的阿提米丝二号 (Artemis II) 任务在完成为期十天的太空飞行後成功返回地球。此次任务中不仅完成绕月飞行，还创下了载人太空船距离地球最远的飞行纪录。四位太空人安全返回地球，再次证明英飞凌科技的抗辐射（rad-hard）半导体解决方案即使在最极端的太空环境下，效能依然稳定可靠。从关键的电源供应与控制系统到数据通讯，英飞凌旗下IR HiRel 部门提供的抗辐射元件，成为猎户座太空船（Orion）电子系统的核心支柱之一。

英飞凌半导体技术在Artemis II太空任务中展现可靠性

阿提米丝二号任务标志着英飞凌多年的太空领域突破成就。早在1970年代，英飞凌的前身公司便为NASA和ESA（欧洲太空总署）的任务提供首批抗辐射元件。此後，英飞凌IR HiRel便为包括导航卫星、国际太空站（ISS）、以及今日阿提米丝计划在内的数百项太空任务提供支援。这些抗辐射元件的飞行距离已经承受住超过200亿公里的太空飞行挑战，这一距离远超过任何其他人造物体。英飞凌作为此领域的技术先驱，将持续投资、开发并生产最卓越的抗辐射半导体，支援全球太空应用设计社群的需求。

太空环境对半导体的要求极高。在地球磁场的保护范围之外，高能粒子会无阻地冲击电子元件，并可能造成永久性损坏或摧毁元件，导致任务失败。英飞凌的抗辐射技术并非透过被动屏障，而是透过在半导体架构设计阶段即具备抗辐射能力来应对这一挑战。所有产品均符合最严格的国际太空标准认证，包括MIL-PRF-38535 Class V、MIL-PRF-19500、ESA的ESCC标准以及NASA的EEE-INST-002，确保了其性能的可靠性。

在英飞凌，创新包含了从系统层级的开发，例如：半导体技术、抗辐射验证及封装技术相互协调运作。优化的整体系统不仅影响电气效能，还能改善散热表现与长期可靠性，同时大幅减少了重量与体积。对於太空任务而言，每一克的重量都影响甚钜，而英飞凌的抗辐射元件在系统层级提供了关键的优势。

英飞凌也正推动新型半导体材料在太空应用的发展。氮化??（GaN）元件可有效降低切换损耗，提升功率密度与切换频率，从而减少能源损耗与对磁性元件的需求，进一步实现重量的减轻。基於内部制造能力以及随之而来的制程与品质稳定性，英飞凌获奖的抗辐射 100-V GaN 电晶体，依据 MIL-PRF-19500 标准通过 JANS认证，将 GaN 从概念转化为可满足严苛太空任务的可靠技术。英飞凌的 JANS 认证元件是市场上首款且唯一一款内部制造的抗辐射 GaN 电晶体。

英飞凌提供广泛的抗辐射产品组合，涵盖矽功率MOSFET、氮化??电晶体、闸极驱动器与固态继电器，此外还包括抗辐射记忆体与射频(RF)元件。凭藉内部辐射测试能力以及保证的长期产品供应，英飞凌不仅是一家元件供应商，更是为整个太空产业提供战略技术支援的合作夥伴。