奇梦达公司宣布先进的技术蓝图，此技术可达30奈米世代，并在cell尺寸可至4F²。奇梦达的创新Buried Wordline技术结合高效能、低功耗及小芯片尺寸的特性，再次拓展公司的多元化产品组合。奇梦达目前推出此尖端技术的65奈米制程，计划在2008年下半年开始生产1Gbit DDR2产品。

奇梦达公司总裁暨执行长罗建华（Kin Wah Loh）表示：「这项新的技术将能改善生产力和位成本至本公司前所未有的水平。我们是业界第一家宣布30奈米世代的技术蓝图的厂商，且让cell尺寸能够小到4F²。这个技术的推出是我们做为领导内存产品开发的领导者，持续创新的结果。这也有助于我们开发新的合作机会。」

奇梦达的目标是于2009年下半年开始量产46奈米Buried Wordline DRAM技术。与58奈米沟槽式技术相比，此46奈米的Buried Wordline DRAM技术会提供每晶圆超过两倍以上的位。公司预计于2009及2010会计年度，将由自有资金来做为制程转换的投资，此一次性约1亿欧元的投资，将运用于转换现有的沟槽产能至Buried Wordline技术。奇梦达运用Buried Wordline的技术和精简的制程，加上主流的堆栈式电容，使得这项制程转换仅需较低的投资金额。