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台积线上技术论坛亮点:4奈米与3D IC系统整合服务
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 报导】   2020年08月25日 星期二

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因应新冠肺炎(COVID-19)影响,台积公司(TSMC)今年首度举办线上的技术论坛和开放创新平台(Open Innovation Platform, OIP)生态系统论坛。会中除了提及5奈米与3奈米的技术时程外,也披露了最新的4奈米技术,预计在2022年量产;此外,台积也首度发表3DFabric系统整合服务,为整合SoIC、CoWoS和InFO技术的完整3D IC代工服务。

根据台积的说法,采用线上形式的论坛活动,共计超过5,000位人士注册叁与,在8月24日至8月26日期间,分别在北美、欧洲、日本、台湾、以及中国大陆举行的线上技术论坛及开放创新平台生态系统论坛。

不只N5、N3 还有N4

台积指出,N5(5奈米)技术今年已进入量产,随着产能持续拉升,良率提升的速度亦较前一世代技术快。相较於N7,N5速度增快15%、功耗降低30%、逻辑密度增加达80%。奠基於N5,台积预计於2021年量产加强版的N5P制程,速度可再增快5%,功耗再降低10%。

此外,台积也首度公布了N4制程(属N5家族)。台积指出,N4进一步提升效能、功耗、以及密度来满足多样化产品的需求,除了减少光罩层来简化制程,N4可借助5奈米的设计生态系统,顺利从N5升级,N4制程预计於2021年第四季开始试产,2022年进入量产。

而在N3方面,台积表示,N3制程开发进度符合预期,将成为全球最先进的逻辑技术。相较於N5技术,N3速度增快15%,功耗降低达30%,逻辑密度增加达70%。

N12e技术 支援5G与AIoT装置

台积的N12e制程,目前已进入试产阶段,能够提供强大的运算效能与优异的功耗效率,支援人工智慧边缘运算应用。台积指出,N12e可将FinFET电晶体技术导入边缘装置,藉由强化的超低漏电装置与静态随机存取记忆体,相较於前一世代的22ULL技术,N12e逻辑密度增加超过1.75倍,效能提升约1.5倍,功耗减少一半。

做为12FFC+制程的加强版,N12e适合应用於支援人工智慧的物联网装置。

3DFabric整合服务=SoIC+CoWoS+InFO

此外,台积也宣布推出3DFabric服务,将快速成长的3DIC系统整合解决方案统合起来,为包含系统整合晶片(TSMC-SoIC)技术、CoWoS技术、以及整合型扇出(InFO)技术。

藉由不同的选项进行前段晶片堆叠与後段封装,协助客户将多个逻辑晶片连结在一起,甚至串联高频宽记忆体(HBM),或异质小晶片(Chiplet),例如类比、输入/输出、以及射频模组。

台积强调,3DFabric是业界首项能够结合後段3D与前段3D技术的解决方案,提供系统整合中的强大乘数效应;同时,3DFabric能与电晶体微缩互补,持续提升系统效能与功能性,缩小尺寸外观,并且加快产品上市时程。

關鍵字: 3D IC  台積電 
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