因应新冠肺炎（COVID-19）影响，台积公司（TSMC）今年首度举办线上的技术论坛和开放创新平台(Open Innovation Platform, OIP)生态系统论坛。会中除了提及5奈米与3奈米的技术时程外，也披露了最新的4奈米技术，预计在2022年量产；此外，台积也首度发表3DFabric系统整合服务，为整合SoIC、CoWoS和InFO技术的完整3D IC代工服务。

根据台积的说法，采用线上形式的论坛活动，共计超过5,000位人士注册叁与，在8月24日至8月26日期间，分别在北美、欧洲、日本、台湾、以及中国大陆举行的线上技术论坛及开放创新平台生态系统论坛。

不只N5、N3 还有N4

台积指出，N5（5奈米）技术今年已进入量产，随着产能持续拉升，良率提升的速度亦较前一世代技术快。相较於N7，N5速度增快15%、功耗降低30%、逻辑密度增加达80%。奠基於N5，台积预计於2021年量产加强版的N5P制程，速度可再增快5%，功耗再降低10%。

此外，台积也首度公布了N4制程（属N5家族）。台积指出，N4进一步提升效能、功耗、以及密度来满足多样化产品的需求，除了减少光罩层来简化制程，N4可借助5奈米的设计生态系统，顺利从N5升级，N4制程预计於2021年第四季开始试产，2022年进入量产。

而在N3方面，台积表示，N3制程开发进度符合预期，将成为全球最先进的逻辑技术。相较於N5技术，N3速度增快15%，功耗降低达30%，逻辑密度增加达70%。

N12e技术 支援5G与AIoT装置

台积的N12e制程，目前已进入试产阶段，能够提供强大的运算效能与优异的功耗效率，支援人工智慧边缘运算应用。台积指出，N12e可将FinFET电晶体技术导入边缘装置，藉由强化的超低漏电装置与静态随机存取记忆体，相较於前一世代的22ULL技术，N12e逻辑密度增加超过1.75倍，效能提升约1.5倍，功耗减少一半。

做为12FFC+制程的加强版，N12e适合应用於支援人工智慧的物联网装置。

3DFabric整合服务＝SoIC＋CoWoS＋InFO

此外，台积也宣布推出3DFabric服务，将快速成长的3DIC系统整合解决方案统合起来，为包含系统整合晶片（TSMC-SoIC）技术、CoWoS技术、以及整合型扇出（InFO）技术。

藉由不同的选项进行前段晶片堆叠与後段封装，协助客户将多个逻辑晶片连结在一起，甚至串联高频宽记忆体（HBM），或异质小晶片（Chiplet），例如类比、输入/输出、以及射频模组。

台积强调，3DFabric是业界首项能够结合後段3D与前段3D技术的解决方案，提供系统整合中的强大乘数效应；同时，3DFabric能与电晶体微缩互补，持续提升系统效能与功能性，缩小尺寸外观，并且加快产品上市时程。