Lam Research 科林研发推出 Lam Cryo 3.0，这是该公司经过生产验证的第三代低温介电层蚀刻技术，扩大了在 3D NAND 快闪记忆体蚀刻领域的领先地位。随着生成式人工智慧（AI）的普及不断推动更大容量和更高效能记忆体的需求，Lam Cryo 3.0 为未来先进 3D NAND 的制造提供了至关重要的蚀刻能力。Lam Cryo 3.0 利用超低温、高功率局限电浆反应器技术和创新的表面化学制程，以精度和轮廓控制进行蚀刻。

Lam Cryo 3.0 利用超低温、高功率局限电浆反应器技术和创新的表面化学制程进行蚀刻。

迄今为止，3D NAND 主要透过储存单元的垂直层堆叠取得进展，这是透过蚀刻深而窄的 HAR 储存通道实现的。蚀刻轮廓的极小原子级误差可能会对晶片的电效能产生负面影响，并可能影响良率。经过最隹化的 Lam Cryo 3.0，可解决上述提及和其他微缩方面的蚀刻挑战。