外电消息报导，三星电子已研发出了世界首款40奈米制程的1GB容量DDR2易失存储器产品，并预计在2010年开始进行量产。相较于50奈米的产品，40奈米不仅芯片面积较小、电耗低，同时还具备产能高等优势。

据了解，三星电子透过此次40奈米1GB DDR2内存制程技术的开发，将有望在在09年实现40奈米2GB DDR3的开发和量产。此40奈米制程的2GB DDR3内存，将较08年量产的50奈米产品提高约60%的效率。相对于其他生产50~60奈米内存的对手，三星电子将可维持1至2年的领先优势。

新一代的制程技术除了提供较佳的环保性能外，还为将来的DDR4等高速大容量产品等研发，奠定了相当的基础。未来三星电子将可望在内存市场上维持龙头的优势。