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英特尔晶圆代工完成商用高数值孔径极紫外光微影设备组装
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2024年04月22日 星期一

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英特尔位於美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔研发基地中,研发人员已完成商用高数值孔径极紫外光微影设备(High NA EUV)组装。此台由微影技术领导者艾司摩尔(ASML)供应的TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV微影设备,将开始进行多项校准步骤,预计於2027年启用、率先用於Intel 14A制程,协助英特尔推展未来制程蓝图。此设备将投影印刷成像到晶圆的光学设计进行改造,明显提升下世代处理器的图像解析度和尺寸缩放。

英特尔晶圆代工完成商用高数值孔径极紫外光微影设备组装
英特尔晶圆代工完成商用高数值孔径极紫外光微影设备组装

High NA EUV微影设备在先进晶片开发和下世代处理器生产中扮演关键角色。英特尔晶圆代工布署的High NA EUV微影设备,将为晶片制造带来精准度和可扩充性,协助英特尔开发创新功能完善的晶片,加速推动AI和其他新兴技术的发展。

ASML位於荷兰费尔德霍芬总部的高数值孔径实验室首次列印出10奈米的高密度线路,创下EUV微影设备解析度的世界纪录,成为EUV微影设备迄今为止列印出最精细的线路。这项突破也让ASML的合作夥伴蔡司(ZEISS)在High NA EUV微影设备上的创新光学设计获得验证。

關鍵字: DUV  EUV  Intel 
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