材料、应用技术及服务的综合供货商Dow Corning与东京应用化学（Tokyo Ohka Kogyo）宣布，两家公司合作开发的新型双层光阻已获得一家DRAM芯片制造商采用，将首度用来量产内存芯片。这种新型双层光阻将Dow Corning硅聚合物用于成像层（imaging layer），以提供较目前市场上其它产品更佳的蚀刻选择性。

光阻是一种经过光线照射后会变为可溶解或不可溶解的光敏材料，因此能透过后续的蚀刻制程将所选择的部份移除。将Dow Corning创新的硅聚合物加入东京应用化学的感光材料后，半导体制造商就能使用较薄的光阻层，以提高图案分辨率并可让更小的电路图案转印到目标晶圆而不必担心图案失真问题。

藉由免除多层光阻制程所需的硬光罩层和相关制程步骤，此一新光阻可提供一套更符合成本效益的微影制程解决方案。新光阻能同时适用于干式（dry）和浸润式微影制程，浸润式微影是一种先进成像技术，正逐渐获得45奈米及以下先进制程市场的广泛接受。东京应用化学已成功利用新光阻在浸润式微影环境制造出35奈米的导线/间距图案。

「随着芯片制造商逐渐了解这种新型硅晶注入式光阻的优点，我们与东京应用化学的合作也开始有了回报。」Dow Corning电子与先进技术部营销总监Tomonobu Noguchi表示，「这种突破性材料代表着一种全新类型的光阻，将有助于扩大193奈米微影制程的能力。」

Dow Corning与东京应用化学自2002年起即展开合作开发协议，共同开发先进的硅基光微影材料。此一计划结合了东京应用化学在先进微制程技术与光微影应用的专业知识，以及Dow Corning在材料创新领域与制造能力的优势，并透过东京应用化学位于日本神奈川县的研发中心进行研发作业。