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意法半导体於义大利打造世界首座一站式碳化矽产业园区
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2024年06月24日 星期一

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意法半导体(STMicroelectronics,ST),将於义大利卡塔尼亚打造一座结合8寸碳化矽(SiC)功率元件和模组制造、封装、测试於一体的综合性大型制造基地。透过整合同一地点现有之碳化矽基板制造厂,意法半导体将打造一个碳化矽产业园区,达成在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化矽之愿景。新碳化矽产业园区的落成是意法半导体一个重要的里程碑,将提供客户碳化矽元件,使其用於汽车、工业和云端基础建设等应用领域,加速电气化并提升效能。

意法半导体总裁暨执行长Jean-Marc Chery表示,「卡塔尼亚碳化矽产业园区将强化ST全垂直整合碳化矽的制造实力,稳固ST SiC技术於未来几十年在汽车和工业市的领先地位。该专案带来的规模经济和协作效应将让我们能够利用大规模制造能力进行技术创新,协助欧洲乃至全球客户加速电气化转型,同时寻求效能更高的解决方案,达成他们低碳减排之目标。」

该碳化矽产业园区将成为意法半导体全球碳化矽生态圈的中心,整合所有制程,包括碳化矽晶片基板开发、外延生长制程、8寸晶圆制造及模组封装、制程研发、产品设计,以及先进裸片、电源系统、模组研发实验室和封装测试。该专案亦将成为欧洲首座一站式量产8寸碳化矽的综合制造基地,整合碳化矽生产的完整制程(基板、外延、晶圆加工和晶片封测)。为提升晶片良率和性能,该专案将采用8寸晶圆制造技术。

该专案预计2026年运营量产,在2033年前达到全部产能,在全面落成後,晶圆产量可达每周1.5万片。该专案总投资额预计约为50亿欧元,义大利政府将依照《欧盟晶片法案》框架提供约20亿欧元之金援。该碳化矽产业园区从设计、开发到运营将全部融入永续发展的理念,确保以负责任的方式消耗水、电力等资源。

补充资讯

碳化矽(SiC)是一种由矽和碳两种元素所组成之重要的复合材料(和技术)。在电力应用领域,相较於传统的矽材料,碳化矽具有多重优势。碳化矽的宽能隙及其特性,例如,导热性更隹,开关速度更快,耗散功率更低,使其适用於制造高压功率元件,特别是1200V以上的功率元件。在市面上销售的碳化矽功率元件分为碳化矽 MOSFET裸片和全碳化矽模组两大类,与传统矽半导体相比,碳化矽输出电流更高,静态漏电流更低,效能更高,适用於电动汽车、快速充电基础建设、再生能源和各种工业应用(包括资料中心)。然而,相较於矽基晶片,碳化矽晶片的制造难度更大,成本更高,在制程的产业化过程中,仍有许多挑战尚待克服。

意法半导体在碳化矽市场的领先优势以公司25年来长期专注和技术研发和拥有的大量关键专利为基础。卡塔尼亚长期以来一直是意法半导体技术创新的重要地区,拥有公司最大碳化矽研发中心和制造,让ST开发更多、更优质的碳化矽产品做出了贡献。随着ST功率电子元件生态系统的形成,包括意法半导体与卡塔尼亚大学和CNR(义大利国家研究委员会)以及大型供应商网路的长期合作,该投资将强化卡塔尼亚碳化矽技术全球技术创新中心的角色,为碳化矽市场进一步成长创造机会。

意法半导体目前已经在义大利卡塔尼亚和新加坡宏茂桥的两条6寸晶圆生产线上量产碳化矽旗舰产品,而在建中的意法半导体和三安光电中国重厌8寸碳化矽合资制造厂,将成为公司第三个SiC晶圆制造中心,专门服务中国市场。与此同时,意法半导体位於摩洛哥布斯库拉和中国深圳的後段工厂将为上述碳化矽晶圆厂提供各种封装测试,包括车规级和大规模量产的碳化矽产品。而碳化矽基板则由意法半导体位於瑞典北雪平和义大利卡塔尼亚的研发制造基地所提供。由於意法半导体正在加速基板产能,因此ST多数碳化矽产品相关研发设计人员皆位於在这两个地方。

關鍵字: SiC  GaN  宽能隙半导体  化合物半导体  ST  ST 
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