英飞凌与GaN Systems公司宣布两家公司已签署最终协议,英飞凌将以8.3亿美元的价格收购GaN Systems。GaN Systems是开发基於氮化??的电源转换解决方案的全球技术领导者,总部位於加拿大渥太华,拥有200多名员工。
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英飞凌执行长Jochen Hanebeck |
英飞凌执行长Jochen Hanebeck表示:「氮化??技术正在为支援低碳化所需的,更高能效及减碳的解决方案做好准备。GaN技术导入行动充电、资料中心电源供应、住宅用太阳能逆变器和电动车车载充电器等应用正处於转折点,这也让市场更加蓬勃发展。基於优异的研发资源、对於应用的理解和客户合作计画,收购GaN Systems的计画将大幅加速我们 的GaN发展路径。依据我们的策略,此次的并购将透过掌握所有相关的电源技术,从矽、碳化矽到氮化??,进一步强化英飞凌在电源系统领域的领导地位。」
GaN Systems执行长Jim Witham表示:「GaN Systems团队很高兴与英飞凌合作,双方优势能互补加乘,为客户提供高度差异化的产品。 凭藉我们在提供卓越解决方案方面的共同专长,我们将以最隹方式发挥GaN的潜力。 结合GaN Systems在晶圆代工方面的布局与英飞凌的内部制造能力,将可以实现最大的增长能力,以满足GaN在我们广泛目标市场中的加速应用。我为GaN Systems迄今为止所取得的成就感到非常自豪,并且也非常期待与英飞凌一起创造下一个篇章。英飞凌作为拥有广泛技术能力的整合元件制造商,将能充分发挥我们的潜力。」
GaN是一种宽能隙材料,透过更高的功率密度、更高的效率和更小的尺寸,特别是在更高的开关频率下,为客户提供价值。 这些特性可实现节能和更小的外形尺寸,使GaN适合广泛的应用。
市场分析师预估,到2027年,用於功率应用的GaN营收将以56%的年复合成长率(CAGR)增长至约20亿美元(来源:Yole,化合物半导体市场监测,模组I ,2022年第四季)。 因此,GaN正在成为功率半导体的关键材料,与矽和碳化矽并驾齐驱,并搭配新的拓扑结构,例如混合返驰式和多级实现。
2022年2月,英飞??宣布投资超过20亿欧元在马来西亚居林(Kulim)新建一座前段工厂,加倍扩大宽能隙产能,巩固其市场地位。 首批晶圆将於2024年下半年开始出货,加入英飞凌在奥地利菲拉赫(Villach)既有宽能隙制造基地的阵容。
此次计画将以全现金交易的方式收购GaN Systems,资金将来自现有的流动资金。该交易须遵守惯例成交条件,包括主管机关的批准。