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英飞凌与Panasonic为常关型600V氮化镓功率半导体建立双供应源
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2015年03月17日 星期二

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英飞凌科技(Infineon)与 Panasonic公司宣布双方将共同开发以 Panasonic 常关型(强化模式)硅基板氮化镓晶体管结构为基础的氮化镓 (GaN) 产品,并整合至英飞凌的表面黏着装置(SMD)封装。Panasonic已提供英飞凌上述常关型氮化镓晶体管结构的授权。此次合作将使双方皆可制造高效能氮化镓装置。客户亦将受益于取得封装兼容的氮化镓功率开关的双重供货来源,这是目前其他硅基板氮化镓装置皆无法提供的优势。双方将于美国北卡罗莱纳州夏洛特市举行的应用电力电子研讨会暨展览会 (APEC,2015 年 3 月 15 - 19 日) 中,首次展示采 DSO封装的 600V产品。

硅基板氮化镓是广受瞩目的次世代化合物半导体技术之一,因为它可达到高功率密度与小体积(例如用于电源供应与转换器),同时也是提升能源效率的重要关键组件。一般而言,采硅基板氮化镓技术的功率装置可用于广泛的用途,从高电压工业应用 (如服务器场的电源供应器(所展示的 600V 氮化镓装置的应用之一)),到低电压应用 (如DCDC转换器 (例如高阶消费性产品))。根据 IHS 市场研究报告,与硅基板氮化镓相关的功率半导体市场的年复合成长率 (CAGR) 将逾 50%,预期将由 2014 年的 1,500 万美元成长至 2023 年的 8 亿美元。

英飞凌电源管理及多元电子事业处总裁 Andreas Urschitz 表示:「英飞凌致力于为客户提供各种最佳的产品与技术,包括以氮化镓为基础,稳定且可靠的功率装置。我们相信结合硅基板氮化镓开关的强化模式与相关的驱动程序以及优化的驱动机制,将可为我们的客户提供极高的价值,而且双重供货来源的概念将协助客户管理并提供稳定的供应链。」

Panasonic Semiconductor Solutions公司总裁 Toru Nishida 表示:「我们充分运用了在化合物半导体的经验,开发出常关型氮化镓功率技术,它具有简单组态及易于控制动态的特性。我们期待透过将我们的氮化镓功率技术中的常关型氮化镓晶体管结构授权予英飞凌,能够进一步加速推展氮化镓功率装置。我们将持续藉由创新我们的常关型氮化镓技术,提供满足客户需求的解决方案。」

關鍵字: 氮化镓  功率半导体  雙供應源  晶体管  Infineon  Infineon  Panasonic  晶体管 
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