外电消息报导，英特尔（Intel）和美光（Micron）科技日前共同宣布，由双方所合资的企业IM Flash新开发出一种的闪存架构。此新的架构为8GB单层式储存NAND闪存芯片，读取速度可达每秒200MB，写入的速度达每秒100MB，较现今的固态硬盘及绘图卡的传输速度更快。

美光科技发言人Kirstin Bordner表示，随着数字录像机的和视讯点播服务的日益普及，内存的读写速度也面临了挑战。而此新的高速NAND闪存，其传输高解析电影的速度，较传统的NAND闪存速度快五倍。

Bordner指出，新NAND闪存芯片的架构和读写电路的改变，是提高NAND芯片速度的主要原因。此芯片达到了ONFI（开放NAND闪存接口）2.0技术规范定义的速度。

报导指出，目前美光科技正在生産这种高速NAND闪存的样品，预计在2008年下半年可以进行量产。