观察2021年主导半导体产业的新技术趋势，可以从新的半导体技术来着眼。基本上半导体技术可以分为三大类，第一类是独立电子、电脑和通讯技术，基础技术是CMOS FinFET。在今天，最先进的是5奈米生产制程，其中有些是FinFET 架构的变体。这是大规模导入极紫外光刻技术，逐步取代多重图形光刻方法。

意法半导体总裁暨执行长JEAN-MARC CHERY

意法半导体总裁暨执行长JEAN-MARC CHERY说，我们知道目前三星、台积电和英特尔等主要厂商与IBM 合作，正在开发下一代3/2奈米，在那里我们会看到一种新的突破，因为他们最有可能转向奈米片全环绕闸极技术，以延续摩尔定律。若他们成功开发出新的架构，就可以预期摩尔定律会延续一定的年限。

若想明白和做好做半导体领域的业务，还需要有一些提升整合度的方法，这就是所谓的3D异构，也就是利用多个裸片堆叠方法，来得到尺寸最小的系统晶片、系统模组和系统封装的能力。至于记忆体和非快闪记忆体或DRAM，它们在存储容量和耗能方面也遵循类似的过程，越来越节能，性能越来越好。

在这个多元化的半导体世界，所有技术都有一个核心。多元化半导体公司包括TI、NXP、英飞凌、瑞萨和ST。首先是成熟的0.5微米到110奈米的8吋晶片制造技术，其次是成熟的19奈米到28奈米的12吋晶片制程。我们将28奈米视为电晶体闸极创新技术，用于制造成熟的12吋晶片。

当然，这个多元化产品的半导体世界，很快就会开始用16 奈米 FinFET技术，设计制造嵌入式处理解决方案和电源管理解决方案，满足汽车和某些特定工业应用需求。

也许我们还会有另一个节点，10奈米到12奈米的FD-SOI技术。在这个多元化的世界，技术节点分布的非常广泛，从0.5微米到110奈米的8吋，再从19奈米到28奈米成熟的12吋，然后再到FinFET双重图形和三重图形制程。这就是我所看到的现状和趋势。

在多元化的世界中，功率元件材料和碳化矽创新速度很快（包括封装创新、晶圆制造创新、原料创新，升级到8吋，以及优化单个矽锭产生晶圆数量的生产率创新）。所以，我们在功率元件领域也看到了快速的创新。

光学感测解决方案的发展趋势也是这样，我们都想要光学感测解决方案有更高的性能、更小的面积、更低的价格，目前许多半导体大厂（例如ST）正在推动这一技术创新。 MEMS与光学感测器的情况非常相似，大家都希望感测器精度更高，功耗更低。所以多元化半导体世界的解决方案也是非常相似。这是因为基于CMOS（类比、混合讯号、射频、嵌入式快闪记忆体）的功率产品、感测器和纯类比技术是相互融合的，所以，晶片不限于记忆体、电脑和通讯。这就是我所看到的现状趋势。同样，在多元化半导体世界里，我们也提供3D整合这个了不起的创新技术。