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TI再推GaN元件 功率半导体市场波澜渐生
 

【CTIMES/SmartAuto 姚嘉洋 报导】   2016年05月23日 星期一

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谈到功率半导体市场,我们都知道英飞凌长年居于龙头地位,当然,在该市场中,TI(德州仪器)也一直以主要供应商自居,在电源管理领域不断推出新款的解决方案。

TI Broad Market Power副总裁暨总经理Hagop Kozanian
TI Broad Market Power副总裁暨总经理Hagop Kozanian

自去年三月,TI推出了以GaN(氮化镓)为基础的80V功率模组,而今年五月,更推出了高达600V的整合方案LMG3410,试图扩大在功率半导体市场的影响力。为了能让台湾市场更加了解该款产品的重要性与特色,TI也罕见地有高阶主管与台湾媒体会面并进行互动。TI Broad Market Power副总裁暨总经理Hagop Kozanian表示,此次所推出GaN 600V方案是将开关元件与驱动晶片加以整合的功率模组,有别于传统的离散电路设计,对于过电流保护、温度侦测与管理等,都能有相当出色的表现,当然,有别于传统矽制程的开关元件,以GaN为基基础的方案,其开关损耗的表现也优于矽制程。

Hagop Kozanian进一步谈到,TI在GaN元件的验证上,TI花了相当多的时间与资源,再者,由于伺服器领域开始将数位电源设计视为重点,TI相较于其他竞争对手,能够提供的方案也相对完整许多。锁定的应用类别,像是伺服器与基地台的AC/DC电源、马达控制、太阳能逆变器与积架式电源模组等,目前TI也已经提供开发板让客户可以进行设计。

然而,我们也知道,功率元件最重要的关键之一,在于开关元件的切换频率,Hagop Kozanian表示,目前在开发板上的LMG3410的切换频率设定在140kHz,当然,常理而论,其切换频率要达到1MHz并没有问题,只是考量到系统层级的设计,才将频率设定在这样的水准。

不过,综观整体功率半导体市场,除了十分常见以矽制程为主的MOSFET以外,还有IGBT与SiC(碳化矽)等,其中又以IGBT技术成熟度最高,应用也相当普遍,对此,Hagop Kozanian的看法又是如何?Hagop Kozanian强调,切换频率与封装技术的表现是TI在该市场十分重视的议题,TI的确也有打算推出更高电压的GaN产品,但他却也保守地说,IGBT的确在市场上行之有年,应用层面也相当普及,TI并不认为,GaN会在短期内就取代IGBT,但长期来看,TI抱持着乐观的态度来看待GaN元件市场的发展。

關鍵字: GaN  MOSFET  功率半导体  IGBT  切换频率  开关元件  驱动晶片  TI  Infineon 
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