Vishay Intertechnology推出两款采用紧凑、高隔离延伸型SO-6封装的新型IGBT和MOSFET驱动器。 Vishay Semiconductors VOFD341A和VOFD343A分别提供3 A和4 A的高峰值输出电流，提供高达 +125 。C的高工作温度和最大200 ns的低传播延迟。

Vishay IGBT和MOSFET驱动器采用拉伸SO-6封装，可实现紧凑设计、快速开关和高电压，结合高达 4A的高峰值输出电流与高工作电流。

新款光耦合器由与具有功率输出级的内建电路光耦合的AlGaAs LED所组成，适用於太阳能逆变器和微型逆变器；交流及无刷直流工业马达控制逆变器；以及用於UPS中AC/DC转换的逆变器级。此元件适合直接驱动额定电压高达1200 V/100 A的IGBT。

VOFD341A和VOFD343A的高工作温度为更紧凑的设计提供更高的温度安全裕度，同时其高峰值输出电流无需额外的驱动器级，可实现更快的开关，并促进更精确的PWM调节。光耦合器的高隔离封装可达到高达1.140 V的高工作电压，符合RoHS标准的装置具有50 kV/μs的高抗噪能力，可防止快速开关功率等级中的故障功能。VOFD341A和VOFD343A现已提供样品和量产。