外电消息报导，英特尔和美光科技于周二（8/11）宣布，已开发出使用34奈米制程的NAND MLC闪存芯片。该芯片的储存容量为每个储存单元3 bit（3-bit-per-cell），高于目前标准的2 bit技术，进而提高芯片的储存容量。

美光NAND闪存营销经理Kevin Kilbuck表示，此技术虽然提高了单位储存容量，但在耐用度上却有所不足，并无法比基于标准技术的闪存可靠。因此，该芯片最初将仅限于随身碟的应用，因为随身碟并不需要如固态硬盘那般的可靠耐用。

对此，市场研究公司Objective Analysis分析师Jim Handy表示，这种芯片并不适合所有的市场，因为固态硬盘的用户，在数据存取的频繁程度远超过随身碟。 但他指出，预计到2010年时，英特尔和美光的芯片将给三星电子和海力士等其他厂商带来压力，并可能比竞争对手获得更多的利润。

目前美光已开始提供新芯片的样品，预计在今年第四季时进行量产。