慧荣科技上周五（10/30）公布2009年第三季营收约2仟3佰万美元，较第二季成长14%。单季总出货量6仟7佰万颗，较前一季成长24%。第三季不含酬劳费用（员工认股权证）毛利率为48.5%，与第二季相比持平。Non-GAAP税后净利约80万美元，较第二季的1佰万美元微幅下跌。第三季Non-GAAP每单位稀释之美国存托凭证盈余为0.02美元。

慧荣第三季行动储存产品出货量较上一季成长21%，其中高效能SD控制芯片（133×）成功取得两大重量级客户Desin-in。同时，慧荣推出当前最快速的CF控制芯片（600×），每秒数据传输速度可达90MB。

行动通讯方面，上季宣布为三星手机提供的ISDB-T行动电视解决方案已开始出货，供应快速成长中的巴西市场。另外，在同样成长迅速的中国市场，慧荣的CDMA收发器（Transceiver）取得两家手机代工大厂订单，这两个订单与上季宣布的其他CDMA订单预计将于第四季至明年初开始大量出货，成为慧荣行动通讯产品线未来持续成长的重要驱力。

慧荣科技总经理苟嘉章表示，随着产能利用率不断提升及制程转移至30奈米与40奈米，第三季NAND Flash市场开始呈现回温现象。慧荣客户能取得充足的Flash货源，因此在记忆卡零售及手机搭载市场，出货量均呈现成长。

慧荣新推出的控制芯片能支持目前市场上最新、成本更低的3-bits per cell MLC Flash。透过最先进的控制芯片技术，3-bits per cell MLC Flash将在未来几年内成为市场的主流，满足行动储存产品低成本及高效能的需求。

除了支持3-bits per cell MLC Flash的控制芯片，慧荣同时推出支持各家30奈米2-bits per cell MLC Flash的控制芯片，包括先前宣布的IM及后续推出的其他大厂产品。此外，也推出能管理较低等级Flash的控制芯片及为更高阶记忆卡产品所设计的控制芯片。

展望未来，苟嘉章强调，慧荣相信市场对30与40奈米2-bits per cell MLC Flash、3-bits per cell MLC Flash及更新一代 Flash的需求将与日俱增，对更高阶记忆卡及固态硬盘（Solid State Drive）的需求也将不断增加。

慧荣预估2009年第四季营收成长率将介于持平至10%间，毛利率预估介于46%~48%。Non-GAAP营业费用（不含员工认股权证、并购FCI相关和一次性费用）预估介于1,400万美元至1,500万美元之间。