随着无线、消费性、运算和企业应用制造商开始使用 NAND 闪存作为主要储存方案，从平板计算机到应用闪存的笔记本电脑，高阶智能型手机，数据中心服务器等，各种应用模式都大异其趣，也需要不同类型的 NAND 闪存。在竞争计列的内存产业里，厂商多半习惯缩小产品尺寸来降低成本，然而现在可能碰到了一些问题。

美光 NAND 解决方案事业群副总裁 Glen Hawk 表示，NAND 制程微缩的速度促成产业前所未见的大幅成长与成功，有助于发展新的闪存解决方案。但是， NAND 制程微缩的优势虽显而可见，然而传统NAND已经面临制程微缩问题，技术管理难度的提高也带来了挑战。

目前业界所碰到的两大问题，首先是Flash可擦写的次数会逐渐减少，以及错误管理技术门坎不断拉高，其中又以后者为急剧增加。推论其中原因，是源于随着产业逐渐超越了 20nm 的规格，闪存管理也日趋困难，由于位错误 (bit error) 情况大幅增加，影响 NAND 闪存的运作效能和可靠性。市场研究机构 Forward Insights 的创办人及首席分析师 Greg Wong就指出，产业不断透过缩小产品尺寸来降低成本，如何能够维持系统的效能和耐受度是个考验。

美光新款的闪存装置采用传统的 NAND 晶粒接口，制程则为25nmMLC，将错误管理技术整合在同一个NAND封装内，持续提供客户最大容量和最低单位位成本 (cost-per-bit) 的闪存解决方案。可透过最少程度的协议调整 (protocol changes) 来解决主处理器上错误修正码 (ECC) 产生的负担。也就是说，不需要动用到CPU的的资源，就可延长未来NAND FLASH的产品寿命。