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3D NAND产能再增 东芝记忆体与WD合资的日本晶圆厂开幕
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 报导】   2018年09月19日 星期三

浏览人次:【1591】
  

东芝记忆体公司 (Toshiba Memory Corporation) 与威腾电子(Western Digital),今日共同於日本三重县四日市的6号晶圆厂 (Fab 6) 举行开幕仪式。该晶圆厂为3D NAND Flash专用厂区,并设有记忆体研发中心 (Memory R&D Center)。

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东芝记忆体於2017年2月开始兴建6号晶圆厂,作为生产3D NAND Flash的专用厂区。东芝记忆体与WD已针对沉积 (deposition) 与蚀刻 (etching) 等关键生产制程部署先进制造设备。新晶圆厂在本月初已开始量产96层3D NAND Flash。

与6号晶圆厂相毗邻的记忆体研发中心已於今年3月开始营运,负责研发并推动3D NAND Flash的发展工作。

东芝记忆体社长暨执行长成毛康雄 (Yasuo Naruke) 表示:「我们很高兴有这个机会能为新一代的3D NAND Flash开拓更广阔的市场。6号晶圆厂和记忆体研发中心能让我们在3D NAND Flash市场中维持领先地位,而且我们相信与Western Digital的合资事业,将协助四日市的工厂继续生产最先进的记忆体。」

Western Digital执行长Steve Milligan同步指出:「今天很荣幸能与我们的重要合作夥伴东芝记忆体一起为6号晶圆厂和记忆体研发中心揭开序幕。近20年来我们合作无间,带动了NAND Flash技术的成长和创新。此外,我们正积极提升96层3D NAND产能,以因应从消费性、行动应用到云端资料中心等终端市场的各式商机 。6号晶圆厂具备先进技术设备,将进一步提升我们在业界技术领先和成本领导的地位。」

關鍵字: NAND flash  东芝记忆体  WD 
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