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Vishay推出20V p信道TrenchFET功率MOSFET
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2008年04月10日 星期四

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日前,为满足对可携式设备中更小组件的需求,Vishay推出20V p信道TrenchFET功率MOSFET,该组件采用MICRO FOOT芯片级封装,具有此类组件中最薄厚度及最低导通电阻。

Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度,以及1.5mm×1mm的占位面积。这也是在1.2V额定电压时提供导通电阻的首款此类组件。该新组件的典型应用将包括手机、PDA、数字相机、MP3播放器及智能电话等可携式设备中的负载开关及电池保护。

Si8441DB提供了1.2V VGS时0.600Ω至4.5V VGS时0.080Ω的导通电阻范围,且具有最高±5V的栅源电压。1.2V额定电压时的低导通电阻降低了对电平位移电路的需求,从而节约了可携式电子设计中的空间。

日前还推出了采用相同MICRO FOOT封装的20V p信道Si8451DB。Si8451DB的最高额定栅源电源为8V,其导通电阻范围介于1.5V时0.200Ω至4.5V时0.080Ω,这是迄今为止具有这些额定电压的组件所实现的最佳值。

随着可携式电子设备的体积越来越小,以及它们功能的不断增加,电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对电池充电间隔间的电池运行时间的期望,设计人员需要具有低功耗的更小MOSFET封装—这恰恰是Si8441DB及Si8451DB所具有的特点。

關鍵字: 手机  PDA  数字相机  MP3播放器  智能电话  Vishay 
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