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松下与联华电子合作开发新一代可变电阻式记忆体量产制程
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2017年02月08日 星期三

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松下电器半导体(PSCS)已与联华电子(UMC)达成一项协议,双方将合作开发新一代40nm 可变电阻式记忆体(ReRAM)的量产制程。

松下电器半导体与联华电子达成协议,双方将合作开发新一代40nm 可变电阻式记忆体(ReRAM)的量产制程。
松下电器半导体与联华电子达成协议,双方将合作开发新一代40nm 可变电阻式记忆体(ReRAM)的量产制程。

ReRAM与目前广泛应用的快闪记忆体十分相似,是一种非挥发性记忆体。该元件结构简单,具有高速处理和低功耗的特点。 2013年,PSCS启动了ReRAM的量产,当时采用的是180nm制程,目前公司针对可携式医疗设备等低功耗应用提供8位元单晶片MN101LR系列。之前,PSCS是首家利用40nm制程测试和验证记忆体阵列的高可靠性的公司。

双方商定的合作计画将实现PSCS 40nm ReRAM制程技术与UMC高可靠性CMOS制程技术的整合。随着嵌入式记忆体逐渐替代快闪记忆体,该合作计画将实现一个适用于各种系统元件的ReRAM制程平台,例如,广泛应用于IC卡、穿戴式终端机和物联网设备的系统元件。

PSCS将于2018年交付采用全新40nm制程的样品,届时,其将成为业界首家启动量产的公司。 PSCS和UMC将为世界各地的其他半导体制造商和供应商提供双方联合开发的ReRAM制程平台。

谈到这项合作计画时,PSCS总裁Kazuhiro Koyama表示:「PSCS已在业界率先启动ReRAM的量产,而扩展的制程平台的开发将加速ReRAM的市场占有率,从而有效地帮助公司提供广泛的最佳产品来满足客户需求。」

UMC资深副总裁SC Chien表示:「我们非常高兴与松下达成这一代工协议。我们40nm制程业已证实的可靠性、快速周转时间以及高产量,将为松下的ReRAM带来新的竞争力。随着该产品获得广泛的市场接受度,该制程将使双方实现双赢。我们期待与松下合作,帮助他们实现40nm ReRAM的量产。」

關鍵字: 可变电阻式记忆体  ReRAM  40nm  松下电器  PSCS  联华电子  UMC  系統單晶片 
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