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RFMD发表RF高功能整合之新致能技术
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2007年11月26日 星期一

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RF Micro Devices发表由RFMD所研发的新技术,以于RF应用中达到最高的功能整合性。此新技术包括密封式晶圆等级封装(WLP)、微机电系统(MEMS)、整合式顺形屏蔽、氮化镓(GaN)、GaAs E/D pHEMT及GaAs BiFET。RFMD预期此新制程及致能技术,将支持该公司于2008年的预期成长,并延伸其于新蜂巢式产品领域的触角, 包括蜂巢式模式开关、滤波器、双工器及其它用于蜂巢式手机的高效能RF零组件。

RFMD新技术之基础,为该公司对于最适技术匹配(OTM,Optimum Technology Matching)的长久坚持,透过此,RFMD的设计师根据成本及效能之考虑,为每项应用选择最适宜的技术。透过专为在RF应用上,增加功能整合性层次之致能技术的大幅延伸,RFMD的新技术趋动OTM更向前迈进了一步。除无线市场外, RFMD并预期其新技术将扩展该公司新成立之多重市场产品事业群(MPG)之目标市场的成长,包括无线基础设施、无线存取、标准产品、宽带/消费性及航天与国防领域。领导级的独立研究公司Gartner最近并评定RFMD为数字用户RF组件、以及蜂巢式功率放大器及前端模块之第一供货商。

關鍵字: RF  RFMD  无线通信收发器 
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