RF Micro Devices宣布已完成第一代48V氮化镓（GaN）制程技术之技术资格审核。该公司发挥其既有的制造资产及于高量能复合式半导体设计与制造的经验证专业，提供其新GaN制程之绝佳热及RF效能。RFMD并已于多重终端市场中，开始对客户进行48V GaN技术的小批量出货。

RFMD的48V GaN制程技术，能满足针对更高功率、更高效率和更宽带宽之成长性客户需求。该公司锁定多重高成长应用领域，包括高线性度的CATV线性放大器、军事雷达应用、宽带无线基础设施功率放大器、及用于革命性新高流明光振荡应用的电源模块。

RFMD多重市场产品事业群总裁Bob Van Buskirk表示：「不论生产或研发，我们所拥有之多重产品都将从新GaN技术获益。此新制程技术提供我们新成立的多重市场产品事业群一个立即的竞争优势，而我们在多重终端市场所持续的GaN技术部署，将随着多重市场产品事业群的不断成长，支持我们对于营收及扩大获利的期望。」

Van Buskirk继续表示：「RFMD 的新GaN制程技术提供比现有技术更高效率、更宽广的操作带宽及更高强固性，这些效能特性，正支持着横跨多重高成长应用的设计活动。」