力旺电子与联电(UMC)今日宣布，力旺电子的可变电阻式记忆体（ReRAM）矽智财已成功通过联电40奈米认证，支援消费性与工业规格之应用。

力旺电子的ReRAM矽智财于联电40奈米制程验证成功，充分显示力旺不但在传统非挥发记忆体矽智财产品线稳居领先地位，也在新兴非挥发记忆体技术研发布局有成。此次与联电的合作，不但使力旺成为全球首批提供这种新兴记忆体矽智财的公司之一，并携手联电为 MCU、PMIC 和 AIoT市场提供更全面的解决方案。

力旺电子技术长暨第二事业群总经理林庆源表示：「力旺的ReRAM矽智财目前已于联电40奈米成功验证，并继续将ReRAM的开发延伸至22奈米与更先进制程，方便未来晶片设计者将力旺的ReRAM矽智财整合到产品中。」

「ReRAM矽智财于联电 40nm 1.1V/2.5V 超低功耗 (ULP) 制程的开发以及向下 延伸至22nm ULP制程计划，成功展现两家公司对新兴记忆体产品未来发展性的信心。」联电矽智财研发暨设计支援处林子惠处长表示：「与力旺的合作有助于进一步丰富我们的特殊制程技术组合，我们预计ReRAM矽智财将可以成功打入重要的新市场。」

ReRAM 是一种新兴的非挥发记忆体 (NVM) 技术，具有结构简单、容易在晶圆代工厂生产并整合至CMOS平台以及满足高速低功耗运作等诸多优点。力旺的ReRAM可为微控制器和电源管理IC提供代码储存(code storage)功能、为低功耗或便携式物联网设备中提供查找表(lookup table)，并进一步应用于记忆体内运算（CIM）与人工智慧(AI)等领域。

ReRAM预计将可取代目前在40奈米与更先进制程的传统嵌入式快闪记忆体（eFlash），它同时也是BCD与HV等特殊制程的最佳嵌入式NVM解决方案。 ReRAM具备许多优于分离闸快闪式记忆体(split-gate flash memory)的优势，ReRAM 在后端流程中采用低温制程，与分离闸快闪式记忆体相比，几乎不需要热积存(thermal budget)，并且更容易整合至各制程。

力旺与联电携手合作的此4Mb ReRAM矽智财技术系从日本松下半导体取得技术授权，具备16Kb资讯区块、晶片修复、错误检测和纠正等功能，并可支援高达125°C的工作温度，不仅可用于消费性电子更适用于工业应用领域。