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NI将半导体测试系统的PXI SMU通道密度提升6倍
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2018年02月06日 星期二

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国家仪器(NI)发表PXIe-4163高密度电源量测单元(SMU),其DC通道密度为上一代NI PXI SMU的6倍,适合用来测试RF、MEMS与混合讯号,以及其他类比半导体元件。

NI全球销售与行销执行??总EricStarkloff表示:「5G、物联网与自动化汽车等高颠覆性技术的出现,迫使半导体产业必须持续推动技术发展,并采用更具效率的方式来进行半导体测试。半导体测试在NI的策略布局中占有重要地位;正因如此,我们正积极扩充旗下软体平台与PXI的功能,并促成最新款PXI SMU的问世;PXI SMU可协助晶片制造厂解决眼前的重大挑战。」

许多晶片制造厂均已迅速采用半导体测试系统(STS),以达到提高产量、提升成本效益与缩减生产线规模等目的。新款PXIe-4163 SMU可进一步发挥上述功效。PXIe-4163 SMU具备更高的DC通道密度,能在多站点应用上实现更高等级的平行机制,同时透过可立即用於生产的规格,达到实验室等级的量测品质。工程师可结合运用上述优势,将相同的仪控设备运用在检验实验室与生产线上,如此即可减少与量测相关的种种难题,并缩短上市时间。

STS於2014年首度发表,为半导体生产测试提供了截然不同的方式。STS是以NI PXI平台为基础所建置而成,可协助工程师建置更具智慧效能的测试系统。这款PXI平台涵盖1GHz频宽的向量讯号收发器、fA系列SMU、领先业界的商用现货测试管理软体TestStand,以及超过600款PXI产品(从DC到mmWave皆包含在内)。

關鍵字: SMU  NI 
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