账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
拆解iPod nano 6 内存+触控模块成本近6成
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2010年09月28日 星期二

浏览人次:【8177】

苹果新款第6代iPod nano的成本结构已经曝光。根据iSuppli最新拆解报告指出,第6代iPod nano最低的BOM表成本价格为43.73美元。

第6代iPod nano整体的材料与代工成本为45.10美元,占整个零售价格的30%左右,毛利空间将可更为宽裕。
第6代iPod nano整体的材料与代工成本为45.10美元,占整个零售价格的30%左右,毛利空间将可更为宽裕。

iSuppli指出,这样的BOM表成本,在iPod一系列产品中已经算是次低的价格,第4代的iPod材料成本最低,大约是40.80美元。第6代iPod nano注重的是轻薄尺寸与功能性,iSuppli拆解服务部门经理暨分析部门总监Andrew Rassweiler表示,这样的BOM表设计,为了就是要兼顾触控屏幕功能,并且维持零组件低成本的估算。

例如关键之一,新款iPod nano省略了前一代加装摄录镜头的功能,同时维持了8GB 储存容量的NAND闪存。iSuppli分析指出,由于NAND Flash的价格在2008年停止下滑,甚至有上扬的趋势,因此从2005年到2008年苹果加倍NAND Flash储存容量的策略,从2008年到现在苹果便改采不再增加NAND Flash容量的设计。

此外,随着触控屏幕接口的发展趋势,第6代iPod nano不再采用先前click wheel控制键,而改以直觉式近似手腕表、轻薄尺寸为1.48×1.61×0.35英吋的接口设计。iSuppli认为,苹果有意识地去选取或排除第6代iPod nano的功能设计,为了就是要延长新款iPod nano的电池寿命。当完全充电时,新款iPod nano 6可连续播放24小时的音乐。

值得注意的是,第6代iPod nano的制造代工成本为1.37美元,因此整体的材料与代工成本为45.10美元,iSuppli预估这大概占整个零售价格的30%左右。从第3代以来,iPod整体BOM表加上代工制造成本价,大概维持在零售价格的33%左右。第6代新款iPod nano的毛利空间将可更为宽裕。

从BOM表结构来看,内存是零组件成本最高的项目,包括Toshiba储存容量8GB的MLC NAND闪存、以及Samsung容量为512Mb的行动DDR DRAM,成本为14.40美元,这就占了全部BOM材料成本的33%比例。iSuppli指出,除了Toshiba和Samsung之外,苹果也有可能向其他内存厂商采购相关零组件,不一定只局限于这两家。

其次成本第2高的零组件为触控屏幕模块,成本价为11.50美元,约占整体BOM材料价26%的比例。内存加上触控模块,成本价就占整体BOM将近60%的比例。

再来应用处理器成本则位居第3,也是由三星电子所提供,采用45奈米制程,以ARM架构为核心,尺寸比前一代所采用的应用处理器更加微型化,其成本价为4.95美元,占BOM表的11.3%。

使用接口整体成本价则是排名第4,约为3.49美元,大概占整体BOM表的8%比例,包括Cirrus Logic的音频编译码器、意法半导体(STMicro)的加速度计、Cypress的电容式触控控制器、Silicon Labs的FM调谐器、Intersil的视讯驱动芯片、以及其他的模拟芯片、转换器、链接器等。至于电源管理芯片则是采用Dialog的产品。

iSuppli进一步指出,Cypress的电容触控芯片先前也支持click wheel功能,而在Palm的Pre和Pixi智能型手机里,也可以看到Cypress触控芯片的身影。这代表Cypress已经从Broadcom和TI的夹攻下脱颖而出,在苹果的产品系列里也站稳了触控芯片的供货商位置。另外,意法所提供的MEMS加速度计也值得进一步关注,这是截至目前在iSuppli的拆解分析中,所看到尺寸最微小的加速度计产品,尺寸只有2×2公厘。这款加速度计应该是提供新款iPod nano的计步器功能所使用。

關鍵字: iPod  Apple  iSuppli  东芝  三星  Cypress  ST  震动感测  微处理器  闪存  电源组件  声音输出设备 
相关新闻
意法半导体揭露未来财务新模型及规划实践2030年目标
三星发表ALoP相机技术 让夜拍更清晰、手机更轻薄
ST推广智慧感测器与碳化矽发展 强化於AI与能源应用价值
ST:AI两大挑战在於耗能及部署便利性 两者直接影响AI普及速度
意法半导体公布第三季财报 工业市场持续疲软影响销售预期
相关讨论
  相关文章
» 汽车微控制器技术为下一代车辆带来全新突破
» SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术
» 超越MEMS迎接真正挑战 意法半导体的边缘AI永续发展策略
» Crank Storyboard:跨越微控制器与微处理器的桥梁
» 挥别制程物理极限 半导体异质整合的创新与机遇


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8CT5O80LMSTACUKE
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw