EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗辐射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其总剂量等级大於1 Mrad，线性能量转移的单一事件效应抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004与EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是采用晶片级封装，这与其他商用的氮化??场效应电晶体（eGaN FET）和IC相同。封装元件将由EPC Space提供。

EPC推出高功率密度和效率的100 V抗辐射电晶体，用於要求严格的航太应用

凭藉具备更高的击穿?度、更低的闸极电荷、更低的开关损耗、导热性和超低的导通电阻等优势，氮化??功率元件明显比矽基元件优胜，针对要求严格的航太任务，可以实现更高的开关频率、功率密度、效率以及更小型化和更轻的电路。与矽解决方案相比，基於氮化??元件的解决方案可以在更高的总辐射量、SEE 和LET下工作。

受益於具备电气和抗辐射性能的EPC7004的应用包括DC/DC电源、马达控制、光达、深层探测以及用於航太应用、卫星和航空电子设备的离子推进器。其他抗辐射产品包括40 V至200 V的氮化??产品可供选择。

EPC公司首席执行长兼联合创始人Alex Lidow说：「100 V的EPC7018和EPC7004提供了不同的尺寸/功率权衡，而且具有超低的导通电阻，让设计工程师在航太应用实现新一代的电源转换解决方案和马达控制器，在更高的频率、效率和功率密度下工作，这是以前无法实现的。」