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台积电32奈米新制程可支持模拟与数字电路
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 报导】   2007年12月13日 星期四

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台积电成功试产可同时支持模拟与数字电路的32奈米制程技术。据了解,台积电已于美国华盛顿特区所举行的国际电子组件大会(IEDM)中发表论文,并宣布成功开发可同时支持模拟及数字电路的32奈米制程技术,此外,台积电并成功以193nm浸润式微影双重曝影技术,成功试产32奈米的2Mb静态随机存取内存。在此同时,IBM也宣布已经成功开发32奈米制程,并预计于2009年下半年量产。

台积电指出,32奈米新制程将提供更低耗电量及更高密度的内存竞争优势,而多种组件尺寸也可满足客户在产品性能及效率优化方面的考虑。台积电的低耗电新制程具备待机低耗电晶体管、模拟及射频功能、铜导线以及低介电系数的材料导线等优势,非常适合用于生产可携式产品所需的SoC芯片,另外台积电也针对客户的不同应用需求,提供多种32奈米制程,包括数字、模拟、射频及高密度内存制程等。

目前荷兰艾司摩尔(ASML)、日本Nikon及Canon等微影设备大厂,已将EUV列为193nm之后的主流技术,并停止157nm技术及设备研发工作,但因EUV设备价格偏高,因此介于193nm及EUV二制程世代之间的32奈米制程,也只能由193nm的浸润式制程着手进行研发。

關鍵字: 32nm  EUV  IEDM  TSMC  ASML  Nikon  Canon  製程材料類 
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