半导体制程设备、技术及支持服务供货商FSI International宣布，该公司可在硅化物形成后采用FSI ViPR技术成功去除未反应的金属薄膜。藉由导入此一新制程，IC制造商将可在钴、镍和镍铂硅化物整合过程中，大幅减少化学品使用量并降低成本。在新订单的FSI ZETA Spray Cleaning System喷雾式清洗系统中均会导入FSI ViPR技术，同时近期建置的系统亦可进行升级以采用此一技术。

镍铂硅化物最早应用于65nm的逻辑组件，由于它的阻抗更低，因此可大幅提升组件的性能；然而，在早期应用中也发现：要在不损害镍铂硅化物区域的情况下去除未反应的镍和铂极具挑战性。到了2005年，藉由FSI所推出的镍铂去除制程则解决了此一问题。

随着业界使用镍铂硅化物的经验增加，IC制造商发现更低的硅化物形成温度可降低接面漏电流。不过，此一更低温度的制程不仅为金属去除步骤带来了其他的复杂性，甚至使得高良率整合方案难以实现。新的FSI ViPR制程则不受限于此，因此使得这样一个低成本、高良率的低温退火镍铂硅化物制程得以实现。

「透过持续发展我们的ViPR制程以解决更多制造上的问题，我们的客户将可受惠于不断改进的生产力和制程效益。」FSI主席暨执行长Don Mitchell表示，「我们很高兴能在现有的机台上持续为业界提供创新的解决方案，以便在为未来技术世代提供扩展性的同时，也能进一步降低客户的成本。」

FSI的ViPR技术最早是在2006年时针对全湿式光阻移除应用而推出，用于免除光阻移除程序上的灰化步骤，而藉由免除灰化工序引起的晶圆表面损害将可进一步减少组件材料的损失、缩短制程周期并降低总投资资金。ViPR技术目前已被一些全球最大的IC制造商运用在生产制造上。

ZETA 系统使用离心喷雾和多功能化学品传送技术，在一个配方成分和温度可控制的情况下准备化学制品，并将它们直接扩散到晶圆表面上。ZETA 设备已证明能支持许多应用，包括硅化物制程中的残留钴和镍金属移除、光阻移除和电浆灰化后清洗、非超音波式微粒去除以及晶圆回收。