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力晶中科新厂动土 总投资额3000亿元
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2006年04月02日 星期日

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首家进驻中科后里园区的力晶半导体与中部科学工业园区开发筹备处共同举行联合动土典礼。力晶将斥资300亿元,兴建四座十二吋晶圆厂(Fab 12C/ D/E/F)并创造逾五千个工作机会,结合新竹科学园区既有三座十二吋晶圆厂的庞大产能,更凸显力晶跻身世界级内存大厂的企图心。

联合动土典礼由中部科学工业园区开发筹备处与力晶共同举行,应邀贵宾包括政务委员何美玥、台中县长黄仲生、经济部工业局局长陈昭义、新竹科学园区管理局局长李界木等官员,以及日本尔必达公司(Elpida)社长坂本幸雄、瑞萨科技(Renesas Technology)荣誉会长长泽纮一等国际高科技大厂高阶主管。

力晶董事长黄崇仁表示,为了强化技术及成本优势,力晶积极进行十二吋晶圆厂产能扩充,除了既有的12A厂与12B厂每月投片量已达七万片以上;向旺宏电子购买的12M厂也将于今年下半年装机投产。预计今年底,力晶十二吋投产月产能将超过十万片以上。于后里新建之12C厂与12D厂满载月产能分别可达七万片十二吋晶圆。将来,力晶在中科的四座十二吋晶圆厂可提供五千至六千个就业机会。

力晶总经理谢再居亦指出,在DRAM制程技术上,移转自日本尔必达的90奈米DDR II产品已顺利量产,除了单片晶圆裸晶数目世界第一,制程良率与质量亦领先竞争者。此外,配合自身产能之扩充以及新技术的引进,预计力晶的DRAM市场占有率将于今年大幅成长,同时也将切入高容量闪存的市场。

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