新思科技及Silicon Metrics Corporation十日宣布推出其内存特性分析解决方案。这套方案是以新思科技的NanoSim作为多层级混合信号仿真器及Silicon Metrics的SiliconSmart MR作为开发基础，并且充分运用了 NanoSim的阶层式数组减化 (HAR) 技术及SiliconSmart MR的内存特性分析和塑模工具，可随时提供设计单芯片系统 (SoC) 所需的内存模型。

目前大多数SoC设计都含有多颗嵌入式内存，其容量可从数千字节到数十万字节。设计SoC时，设计人员通常会使用编译好的内存模型，但这些模型必须重新进行特性分析，以确保无错误而且可以随时生产。NanoSim 和 SiliconSmart MR共同研发出一套全自动解决方案，可以有效而且精确地执行重新分析内存特性的工作。

「NanoSim独特的HAR技术可迅速而且精确地仿真所有内存，不需要一一比对线路图，这项特性使NanoSim成为 SiliconSmart MR最理想的平台，」Silicon Metrics的总裁暨执行长凯蓝卡宾特说道。「这个方案可以有效解决目前执行内存特性分析时遇到的困难，使客户立即获得最大的投资报酬。」

SoC设计人员可以立即安装SiliconSmart MR和NanoSim提供的特性分析工具，并且使用这些工具进行仿真，塑造出高质量的嵌入式内存模型。此外，SiliconSmart MR还能读取和写入以业界标准Synopsys Liberty(.lib) 格式制作的计时模型，这项功能可加快下游应用业者的再利用速度。

「NanoSim是一种用于混合信号及内存设计验证的单芯片多层级仿真器，」Synopsys负责毫微分析暨测试小组的资深副总裁暨安东多米克说道。「SiliconSmart MR和NanoSim的合作为Synopsys的设计流程带来了优质精确的计时及功率模型，我们也建议客户们采用SiliconSmart MR和NanoSim共同开发的嵌入式内存特性分析与塑模解决方案。」