瑞萨电子与台积公司合作开发28奈米嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程技术，以生产支援新世代环保汽车与自动驾驶车的微控制器(MCU)。采用此全新28奈米制程技术生产的车用MCU预计于2017年提供样品，2020年开始量产。

瑞萨与台积公司合作开发支援新世代环保汽车与自动驾驶车之28奈米微控制器

瑞萨与台积公司自90奈米技术世代开始便密切合作开发内建快闪记忆体的MCU产品。为了使未来的环保汽车与自动驾驶车更具节能效益且更可靠，双方在合作40奈米MCU平台与生产四年之后，扩大合作至28奈米MCU的开发。透过此次合作，瑞萨具备高可靠性及高速优势的金属氧化氮氧化矽(MONOS)eFlash技术，将结合台积公司高效能、低功耗的28奈米高介电层金属闸制程技术，生产全球顶尖的车用MCU产品，以支援广泛的应用，例如自动驾驶车的感测器控制、电子控制单元(ECU)之间的协调控制、环保汽车的高效率燃油引擎控制、以及电动车的高效率马达变频器控制。

为了满足未来自动驾驶车对于高效能与安全性的严格要求，新世代MCU利用3D雷达监测车辆四周环境，以实现高精度的感测功能，同时可整合多个感测器的资料，并且具备自动驾驶操作时所需的即时判断处理能力。能够安全控制自动驾驶功能的ECU亦需要新世代的MCU快速处理复杂的控制任务(包括失效稳定运作能力、安全性、以及对多个ECU之间协调控制的支援)，并提高整体系统的能源效率及功能安全性。

同时，为了符合更严格的排放法规，新世代环保汽车的引擎还需要强大的运算效能来运作新的燃油系统，它也需要强大且大容量的内建快闪记忆体来容纳更大的韧体程式。由于市场对环保的要求越来越高，对电动车(EV)与充电式油电混合车(PHV)也要求具备更长的行驶距离，因而创造了对于更高运算效能及功能整合度MCU的需求，以实现效率更高、体积更小的马达变频器。大容量快闪记忆体亦不可或缺，能够更精确地支援各国环境法规与标准，并得以透过空中传输(OTA)的方式无线更新控制程式。此外，具备优异效能与绝佳安全性的MCU嵌入式快闪记忆体技术对于打造安全社会的新世代控制技术来说也是必须的，适用领域包括工业4.0等工业领域以及社会基础建设领域。

透过此项合作所开发的28奈米eFlash制程技术，MCU的程式记忆体容量最高将可比目前的40奈米技术多出四倍以上，效能也将提升超过四倍，符合新世代车用运算的需求。此全新MCU产品的其他强化特点还包括了使用多CPU核心、更先进的安全性，并且支援多种介面标准。

瑞萨执行副总裁大村隆司表示：「汽车产业正经历重大转变，新一代的环保汽车及自动驾驶车即将问世，而创新的半导体技术是加速新世代汽车开发的重要关键。我相信透过与台积公司针对新世代MCU的技术合作，未来将能够提供使客户安心的稳定供货。而我们也将致力于建构MCU的生态系统，并持续扮演好领导厂商的角色，协助推动MCU产业往前迈进。 」

台积公司业务开发副总经理金平中博士表示：「与瑞萨合作证明了我们提供具有竞争力的技术为客户产品创造最大价值的承诺。藉由台积公司28奈米高效能且具节能效益的技术，我们相信将能够展现最佳化的先进技术，以满足新世代汽车产品对创新的需求，并在效能与成本之间为客户取得极具竞争优势的地位。」

[技术小百科]金属氧化氮氧化矽(MONOS)嵌入式快闪记忆体技术

在MONOS结构中，快闪记忆体单元的每个电晶体皆以矽为基础，并由氧、氮、氧三层组成，顶端有一个金属控制闸极。瑞萨供应用于IC卡的MCU已累积超过20年的经验，了解MONOS快闪记忆体技术的运用方式。瑞萨以过去在MONOS技术方面的亮眼成果为基础，研发适用于MCU内部快闪记忆体的分裂闸(SG)结构，成功地扩大了这项技术的应用范围。全新的「SG-MONOS」型快闪记忆体能够实现MCU高可靠性、高速、以及低功耗的优势。