据业界消息，内存大厂力晶12吋厂第四季在代工生产日本瑞萨科技（Renesas）的1Gb AG-AND Flash（闪存）产品上获得重大突破，目前良率已经有所突破，投片量也达每月1000片左右，是台湾第一家量产1Gb NAND Flash的晶圆厂。该公司计划2005年再将制程提升至90奈米，并生产4Gb产品。

力晶于2003年11月底宣布投入NAND规格的Data Flash生产，以12吋厂0.13微米制程为瑞萨代工生产AG-AND Flash；AG-AND是瑞萨自行开发的Flash技术，快速写入的特性比传统NAND Flash快上2.5倍。然而，因Flash制程技术困难加上1Gb的狭窄验证容许（process window）范围，力晶在一年的奋斗之后终于达到良率满意水平，投片量也节节上升，2004年12月已达千片水平。

目前国内闪存供货商如旺宏、华邦等，均以NOR规格为主，在全球市场占有率合计还不到一成，至于NAND规格闪存因不具研发能力，且受制国际大厂IP专利保护，一直没有厂商涉入。力晶去年开始接受瑞萨技转NAND芯片技术制程，如今已成功试产，所以算是国内第一家真正生产NAND芯片的半导体厂商。