面对高速成长的人工智能资料中心、电动车、航空航太与高功率工业应用带来的能源挑战，GE Aerospace公司近日展示第四代碳化矽（SiC）MOSFET功率元件，成为推动新一波能源效率提升的重要技术里程碑。本次展示於纽约州的GE研究中心完成，象徵该公司在SiC功率半导体领域的研发正式迈入全新阶段。

GE Aerospace最新一代碳化矽（SiC）MOSFET元件，具有更高的单位晶片面积电流额定值、高可靠性和更快的开关速度，从而降低功率损耗。

GE Aerospace最新一代SiC MOSFET采用5mm x 5mm晶片尺寸，提供1200V额定电压与导通低阻抗，同时支援高达200。C的工作温度，具备显着提升系统效率、功率密度与可靠性。与传统矽（Si）功率元件相比，碳化矽材料具备更快开关速度、更高耐压与更低损耗等优势，已成为混合动力汽车（HEV）、纯电动车（BEV）、再生能源转换设备与AI资料中心等领域的首选材料。

GE表示，新一代MOSFET在单位晶片面积电流额定值、开关速度与可靠性全面提升，可有效降低功率损耗，支援次世代高效电源架构设计。最新的第四代碳化矽MOSFET在性能上实现飞跃式提升，能在汽车、再生能源、人工智能资料中心与工业电力等应用中大幅提升效率、可靠性和功率密度。

随着全球AI训练与推论需求高速攀升，资料中心的电力消耗成为业界首要挑战。GE认为更高电压、更低损耗的SiC MOSFET能让AI伺服器电源供应器（PSU）采用更精简架构，不仅提高能源转换效率，也能够缩小电源体积，为机柜与机房释放更多散热与部署空间。此外，SiC装置的高温操作能力更能降低冷却需求，有助进一步减少资料中心的营运成本。