账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
快捷半导体在PCIM China 发表功率电子技术演讲
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2010年05月21日 星期五

浏览人次:【3624】

快捷将在6-1~3日,于上海举办的PCIM China 2010展会上发表论文及演讲,阐述功率电子技术的最新发展现况和未来的发展趋势。

快捷专家Robert Krause将发表一篇题为《优化功率MOSFET和IGBT的共模和差模噪声抑制》的论文,文中将把焦点集中在大功率MOSFET和IGBT在多相功率转换应用中的运作,以及如何优化抗噪声能力,也会探讨使用光耦合MOSFET驱动器来提升栅极驱动电路的抗噪声能力。

快捷专家张瑞斌将发表题为《无位置传感器PMSM控制(Position Sensorless PMSM Control)的在线参数评估》的文章,深入探讨用于永磁同步电机(PMSM)控制的一种参数评估方法。另外,快捷在亚太区市场推广暨应用工程副总裁蓝建铜还将主持一场关于绝缘闸双极晶体管(IGBT)技术的研讨会。

快捷是实现节能电子的主要厂商之一,拥有先进的功率和功率系统专业技术,使设计能够达成最高能效,以协助推动在中国以至于全世界迅速增长的电源基础架构。

PCIM China是中国最重要的功率电子展会。此一展会以功率电子行业和大专院校的研究人员和开发人员为其目标,会中将探讨广泛的议题,如功率电子组件和系统、功率转换器、马达驱动和运动控制系统,以及功率质量解决方案。

關鍵字: 功率轉換  Fairchild  Robert Krause 
相关新闻
Fairchild协助古瑞瓦特的太阳能逆变器实现高功效
超低功率半导体Ambiq Micro任命Fumihide Esaka为执行长
Fairchild:韧体升级能力提升Type-C投资保障优势
Fairchild降低IGBT能量损失 协助工业及汽车行业增强效
Fairchild小型低功耗USB Type-C解决方案应用于LeTV全新智能型手机系列
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 创新光科技提升汽车外饰灯照明度
» 以模拟工具提高氢生产燃料电池使用率
» 掌握石墨回收与替代 化解电池断链危机
» SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术
» 超越MEMS迎接真正挑战 意法半导体的边缘AI永续发展策略


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BP9OHQXGSTACUK3
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw