受到国际DRAM大厂将主产能调配生产NAND闪存及利基型DRAM影响，四月虽然进入传统市场淡季，但现货价及合约价均维持涨势，淡季不淡的现象十分明显，因此扩大参加台北国际半导体产业展的南亚科技及力晶半导体等二家国内DRAM厂，对五月及下半年市况看法亦十分乐观，南亚科技副总经理白培霖认为，DDR2供不应求状况持续中，力晶总经理谢再居则指出，512Mb DDR2应可维持5美元至5.5美元价位，景气可说是一路旺到年底。

台北国际半导体产业展盛大开幕，南亚科现场展示90奈米DDR3芯片，力晶则展示90奈米4Gb容量AG-AND闪存产品，充份展现对市场的企图心。由于四月份DRAM价格维持涨势，力晶、南亚科、茂德等DRAM大厂营收均创下新高，因此业者对于第二季下旬及下半年景气看法也愈趋乐观。

白培霖说，第二季虽是传统淡季，但DRAM供给端并没有增加太多产出，来自OEM计算机大厂的DDR2需求依然强劲，加上现货市场上已经看到DDR2需求浮现，所以五月份DDR2价格还是维持稳定，整体市况比原本预期的还要好。至于DDR1市场部份，由于市场供给量已经降低，但系统厂因出清旧规格平台，造成短线DDR需求暴增，所以DDR报价已上调5％至10％幅度。

白培霖说，DDR价格上涨，DDR2价格持稳，只要六月价格不要出现太大变化，南亚科第二季的营运成绩将会优于第一季，同时，因为DDR2的传输速率调高至667MHz后，八吋厂因不具成本优势将被退迫出生产。

谢再居则指出，目前力晶DRAM价格都会维持在一定水平之上，预期有效测试（eTT）256Mb DDR现货价应可维持在2.4美元至2.5美元高档。

Rambus全球业务营销部门资深副总Sharon Holt表示，公司与南科在DDRII内存专利侵权官司缠讼二年，公司始终认为兴讼取得权利金并不是最好的办法，最期待能透过取得授权来达成和解。另外，因应DDRIII内存开始导入设计，Rambus正与台湾三家DRAM厂（华邦、南科、茂德）洽谈DDRIII内存授权事宜。