国科会国家实验研究院于周二（12/15）宣布，开发出全球第一款16奈米的SRAM（静态随机存取内存）的单位晶胞新组件，由于可容纳晶体管是现行主流45奈米的10倍，可使未来3C设备更轻薄短小，主板面积大幅缩小、储存量更大、运算效率更快。若应用至笔电上，整体重量将仅有500公克，开机不用等，插电即用，且耗电量只有现在的一半，非常符合节能环保时代需求。

国家实验研究院（NDL）宣布，开发出领先全球16奈米的SRAM新组件。(左起)国研院院长陈文华、施敏院士、国科会副主委陈力俊、国研院奈米组件实验室主任杨富量。NDL

国家实验研究院已于日前在美国巴尔的摩市电子组件国际会议「IEDM」上，正式发表3项16奈米组件的关键技术相关研究论文：包括「奈米喷印成像技术」、「320度低温微波活化」和「N型锗组件研究」等。被大会选为5篇实时发表论文之一，并被国外专业电子媒体EE Times、IEEE Spectrum及日经BP网列为重点报导，此技术势将成为全球未来5到10年后的电子科技主流，也让台湾在全球半导体产业中继续保有优势。

「奈米喷印成像技术」完全不需要传统光学式微影成像技术所需的光阻和光罩，至少省下10~20亿台币的成本。而且显影可延伸至5奈米的组件尺寸，将使分辨率更清晰，成像更快速，可应用在打印机或半导体显影上。「320度低温微波活化」是造成未来电子产品轻薄短小的关键技术，因此技术利用低温320度就能将集成电路做3D立体堆栈，可缩小芯片面积。另外，「N型锗组件研究」，从16奈米组件世代开始，为求得更快速的组件性能，以锗取代硅已渐渐成为研究主轴之一。

「硅量子点奈米节能储存组件」则由国家奈米组件实验室最近开发的另一项成就。国研院奈米组件实验室主任杨富量说，这是世界上首度直接由电场储存数据到奈米硅量子点的节能环保组件，不需利用电流改变数据状态，非常省电。并强调，未来计算机、手机、数字相机、PDA、电玩、电子书等都将因此开创出更多改写人类数字生活的应用，除了体积更小外，未来电子设备储存量会更多，例如卫星导航产品内存容量约是10GB，但未来可以扩充至100GB，可以容纳下全球地图，真正就像天涯若比邻；或是硬盘可容纳100部电影，都更贴切民众生活。

杨富量也表示，Intel总裁暨执行长Paul Otellini日前宣布今年是进入32奈米SRAM量产的关键年，预计2011年再挺进到22 奈米领域，该公司仍将这项花费300到500亿元台币研发出来的成果视为最高机密，绝不外泄。不难发现，台湾比美国更领先开发出16奈米SRAM单位晶胞的重要性。在16奈米组件核心技术支撑下，杨富量希望明年能拓展成立「15奈米组件研发联盟」，结合产学研界及早进入这个关系国内兆元产值的微电子组件研究领域与布局，抢占有利战斗位置。