账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
智能手机和平板助攻 行动DRAM声势看涨
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2011年04月13日 星期三

浏览人次:【6849】

在智能型手机和媒体平板装置的带动下,行动DRAM(Mobile DRAM)需求也随之水涨船高,包括低功耗DRAM和虚拟DRAM(Pseudo SRAM)的声势正不断看涨。

2010年全球DRAM市场规模为391亿美元,行动装置相关应用就占14%,达到55亿美元。行动DRAM的出货量和记忆容量也不断提高。苹果iPhone 4的行动DRAM容量达到512MB,而宏达电的Desire HD更有768MB。而iPad的行动DRAM容量有256MB,三星的Galaxy Tab更有512MB。

根据市调机构Gartner预估,今年媒体平板装置平均行动DRAM容量为507MB,而智能手机平均容量为279MB,明年可提高到392MB。iSuppli则是预估,今年Mobile DRAM的成长率将达到71%,出货量可达29亿GB,2015年此一数字更将突破205亿GB,比起2010年的17亿GB大幅成长12倍之多。

行动DRAM并没有标准规格,属于利基型内存产品。虚拟SRAM整合DRAM核心和SRAM接口,芯片内含refresh电路设计、与传统SRAM兼容,可直接替代SRAM,容量更高、尺寸更轻薄、价格更便宜。Mobile DRAM是透过自动温度补偿自更新TCSR(Temperature Compensated Self Refresh)、内存数组进行自更新PASR(Partial Array Self Refresh)和深度休眠DPD(Deep Power Down)等技术,来达到省电降低功耗的效果。现在Mobile DRAM已朝向DDR 2制程演进,

目前包括三星、海力士、尔必达、美光、南科及华亚科、华邦、茂德等均投入行动DRAM领域,尔必达已将重心从标准型DRAM转向Mobile DRAM,后者营收已占整体DRAM营收50%以上;尔必达合作伙伴瑞晶今年第3季可望取得技转,首度量产Mobile DRAM,并导入30奈米制程。华邦则是锁定中低阶容量的虚拟SRAM产品区间,南科则已经推出Mobile LPDDR和LPDDR2样品。

三星电子依旧站稳行动DRAM霸主地位,在3月初宣布采用50奈米技术开发出Wide I/O接口的行动DRAM样品,传输速率可达12.8Gb/s,功耗更可大幅降低87%,同时预计到2013年,三星可开发出20奈米制程、4GB封装容量的Wide I/O行动DRAM样品。值得注意的是,三星已经进一步量产30奈米制程、功耗可降低25%、厚度只有0.8公厘的低功耗LPDDR2产品,储存容量可达1~2GB等级,将直接威胁其他竞争对手在智能手机和媒体平板装置的生存空间。

關鍵字: Mobile DRAM  LPDDR2  三星  Hynix  尔必达  美光  南科  华邦  茂德  动态随机存取内存 
相关新闻
美光正式量产HBM3E 功耗较前代降低约 30%
美光率先推出基於LPDDR5X的LPCAMM2记忆体
美光推出128GB DDR5 RDIMM记忆体 为生成式AI应用提供更隹解
美光发布首款8层堆叠24GB HBM3 实现1.2TB/s频宽
Ansys电源完整性签核方案通过三星 2奈米矽制程技术认证
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 关於台积电的2奈米制程,我们该注意什麽?
» 功率半导体元件的主流争霸战


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK83TDEKXT6STACUKP
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw