设计及制造高效能无线电系统及解决方案的全球厂商RF Micro Devices，Inc.发表其用于RF和其它应用的专利微机电系统, 或称MEMS技术。RFMD是针对低成本、整合性RF应用("RF MEMS")研发MEMS技术的先驱自2004年以来，并相当积极投入MEMS技术的商品化。RFMD并预期其专利MEMS技术，将在RF和其它应用上达到功能整合之突破性效能及水平。

由RFMD所发表的第一款RF MEMS组件，为一RF MEMS传输/接收开关，以及针对3G多模手机的RF MEMS模式开关。RFMD 的MEMS开关技术，将透过具体缩减产品接脚占位及提升效率之优势，具体加速3G部署, 并延长手机通话时间。一旦针对前端解决方案(GaAs 、SOI和硅晶)结合RFM的制程技术，RFMD的RF MEMS开关技术将为低成本、小尺寸及高效能前端确立新标准。

RFMD的MEMS开关并将用于功率放大器(PA)之输出电路以创造可调谐的功率放大器，该公司预期此将致能真正的可调式传输器解决方案。RFMD研发副总裁Victor Steel表示：「RFMD专利MEMS技术的商品化，以及我们200mm MEMS R&D厂的建立，都印证了RFMD持续对于创新之承诺。RFMD是唯一能以具成本效益、晶圆等级封装、单晶解决方案组合混合讯号CMOS、电源管理、功率放大器、RF交换器及RF MEMS的公司。」

加州大学圣地亚哥分校教授、及MEMS发展早期先驱Gabriel M. Rebeiz补充:「既有的RF MEMS开关技术是根据小型制造产量及晶圆对晶圆封装技术，使得组件成本相当高。RFMD的硅晶高层次整合方法将能解决此问题，进而提升产能、达到更高的效能及更低成本。」

RFMD的RF MEMS开关为高功率、奥姆接触MEMS开关，其属于RF CMOS SOI晶圆的后制程above-IC，并被压缩于密封的晶圆等级封装(WLP)绝缘栱型架构。操作RF MEMS开关所有必要的电路，都整合入下层CMOS，包括大电压及用以可靠刺激电源MEMS 开关的所需控制讯号。RF MEMS开关完全支持RFMD严格的蜂巢式RF电源模块要求, 包括低插入损耗和高隔离(典型值0.2dB/35dB@1.9GHz)以及高谐波拒斥(典型值90dBc)，并且同样符合在设计及制造上对于可靠性及成本的严苛要求。

除RF MEMS开关外，RFMD亦积极发展其他MEMS组件的商品化，如RF MEMS滤波器、RF MEMS共振器(crystal replacement)及MEMS传感器。该公司预计其MEMS技术搭配既有的高效能调频系统能力，终将使单芯片前端及软件定义无线电符合任何通讯协议- 无论蜂巢式或非蜂巢式。

RFMD并将成立一200mm R&D晶圆厂，以支持其持续性的MEMS研发。此MEMS研发厂将与RFMD的GaN研发组织共同位于北卡罗莱纳州Mooresville的新工厂。