（美国加州讯）全球高效能电源半导体解决方案供货商Fairchild (快捷半导体) 在其第四代 650V 及 1200V IGBT 组件中降低能量损失达30％。 Fairchild 采用专为工业及汽车市场高/中速开关应用量身定制的全新设计方法，可提供工业效能以及极强的闩锁抗噪声能力，实现卓越的耐用性与可靠性。 Fairchild 在 PCIM Asia 2015 展览会上展示了该方法及其在若干应用中的测试结果。

Fairchild 在 PCIM Asia 展览会上展示如何超越硅组件的「理想」限制，

资深 IGS 分析师 Victoria Fodale 表示︰「制造商高度关注更先进的 IGBT，降低 IGBT 的开关损失能够提高其产品的能效。 在各项应用中，从电动汽车及太阳能光伏发电系统，到高效率HVAC应用及工业逆变器，最大限度地降低损失是本质上实现最高能效的关键因素。 」

Fairchild 采用全新的自校准接触技术来实施先进的高密度间距、自平衡单元结构，在摄氏 -40度 至 175度 的温度范围内可实现极高的电流密度以及出色的动态开关特性。 全新设计的第四代 IGBT 具有极低的饱和电压 (Vce(sat) = ~ 1.65V) 及低开关损失 (Eoff = 5μJ/A) 等权衡特性，助客户实现更高的系统效率。 除了新一代产品，Fairchild 还将提供标准化且功能强大的设计与仿真基础架构套件，适用于所有高低压功率组件。

Fairchild Fellow Thomas Neyer 表示︰「Fairchild 采用的全新方法包括，透过非常精细的单元间距设计来增强效率，实现极高的电子射入效率，透过全新的缓冲结构来限制电洞载子的射入。 这些改进实现了巨大的效能优势，使 Fairchild 能够赋予制造商全新的解决方案，藉助我们的 IGBT 高效控制电源产生的巨额成本。 」

Fairchild于2015年第4季度提供 Fairchild FS4 IGBT 产品系列的详细数据。 （编辑部陈复霞整理）

【展会信息】

*展会名称：PCIM Asia 2015展览会（6月25日）

*公司名称：Fairchild

*地 点：上海世博会展中心

*海报演示：介绍2篇IGBT相关论文

1.《具备高效能及先进闩锁抗噪声能力的第四代场截止IGBT》(The 4th Generation Field Stop IGBT with High Performance and Enhanced Latch up Immunity)（演讲者︰ Kevin Lee）

2.《关于电感式负载开关之低电流关断瞬态期间场截止IGBT (FS IGBT) VCE斜率的相关研究》(Investigation on VCE Slope of Field Stop IGBT (FS IGBT) during Low Current Turn-off Transient of Inductive Load Switching)（演讲者︰ Rafael Lim）