力旺电子宣布其第二代嵌入式可多次编写(Multiple-Times Programmable，MTP)记忆体矽智财NeoMTP已於Dongbu Hitek 0.18um BCD制程完成布局，专攻电源管理IC，因应日益增加的无线充电和USB Type C应用之需求。二代MTP记忆体面积缩小超过40%，提供更具经济效益的解决方案，目前已有客户完成产品设计定案(Tape-out)并且即将进入量产(Mass Production)。

力旺在Dongbu Hitek 0.18um BCD制程开发的NeoMTP矽智财拥有可在车规要求的温度区间(-40。C~150。C)编写达1,000次，且能在125。的高温下维持10年以上的资料留存的优异性能，同时，其2.6V-5.5V优於一般工作范围的操作电压区间及低功耗、高速读取等特性，有利於客户在产品设计上具备弹性及竞争力，并在无线充电和USB Type C等快速成长的市场享有明显的优势。

Dongbu Hitek行销??总Benjamin Sun表示：「力旺电子的嵌入式非挥发性记忆体解决方案有助於该公司在BCDMOS制程提供更完整的解决方案，为先进的类比与电源控制设计提供良好的基础及最隹化其成本效能。」

力旺业务发展处??总经理何明洲表示：「非挥发性记忆体已经是BCD平台不可或缺的一项解决方案，我们很高兴与Dongbu Hitek合作，提供力旺的NeoMTP技术，成为客户卡位PMIC应用商机的最隹合作夥伴。」

力旺NeoMTP技术是目前业界最具成本效益的嵌入式MTP方案，IC设计厂商使用NeoMTP矽智财不仅可延长产品生命周期，而且可扩大产品之应用范围。无线充电器可藉由嵌入NeoMTP IP而允许频繁修改内设之电源开关顺序、输出电流及温度控制等规格叁数，以达到产品最隹化之目的；此外，采用NeoMTP也可以让USB Type C进行多次软体及产品功能更新。

力旺与Dongbu Hitek自2008年长期合作以来，一直保持良好且密切的关系，除嵌入式可多次编写记忆体矽智财外，可一次编写(One-Times Programmable，OTP)记忆体矽智财NeoBit和NeoFuse亦於Dongbu Hitek不同制程平台完成布局，为不同应用之客户提供弹性多元选择。未来双方将携手更进一步合作，以满足更多客户需求，使客户产品更具备市场竞争力。