外电消息报导，海力士（Hynix）半导体执行长Kim Jong-kap日前表示，该公司预计将从今年开始生产使用54奈米制程的DRAM内存芯片，并可能交由茂德进行生产。

Kim Jong-kap表示，他对2008年下半年的内存芯片市场表示乐观。他认为DRAM内存芯片价格将在第三季出现反弹，而闪存也将在下半年达到供需平衡。他指出，海力士可能会大幅降低2008年的投资额，特别是在2008年下半年。

此外，报导中也指出，由于过去海力士与茂德的合作密切，未来新的54奈米制程技术也可能交由茂德生产。目前茂德的90奈米和70奈米技术都是来自于海力士，而一年前，海力士曾与茂德做了一笔类似的交易，将55奈米技术提供给了茂德科技。

报导还预测，至2012年时，海力士的DRAM内存芯片将全部采用300毫米生产线制造。