旺宏電子總經理盧志遠博士近日獲選為「世界科學院」（The World Academy of Sciences；TWAS）2020年新任院士，以表彰他在半導體物理與元件技術的卓越貢獻。

盧志遠博士獲選TWAS「工程科學」(Engineering Sciences)學門院士。TWAS認為盧志遠博士在半導體元件物理，積體電路製程開發及整合技術方面皆有開創性的科學創新及傑出的技術貢獻。尤其，盧博士更是一位創新的高科技企業家和半導體行業的傑出領導者。

盧志遠博士2014年即曾獲得TWAS推選為「工程科學」獎得主。他長期投身於科技創新及尖端研發，不但是位傑出科研專家，且又能具體實踐應用。早於1980年代中期，他於美國AT&T Bell Labs領導研究計畫時，即曾研發高達600V之BCDMOS IC技術，為當時業界最高伏的技術。

1987年，他也是全球首位於IEDM發表技術論文探討DRAM最詭譎的可靠性問題，促使業界大幅提升DRAM可靠度，之後領導研發0.6微米CMOS第六代Twin-tub製程技術，部份技術理論迄今仍被廣泛引用，帶動半導體產業今日的蓬勃發展。

1989年，盧博士受邀回台出任工研院電子所副所長，帶領工研院團隊執行台灣最大科專計畫─次微米計畫，讓台灣具備八吋晶圓產製能力，成功將台灣推向世界高科技舞台。次微米計畫之後衍生成立世界先進公司，成為催化台灣記憶體產業的重要推手。

1999年，盧博士加入旺宏電子，專注非揮發性記憶體前瞻技術研發，帶領旺宏研發團隊持續在國際重要學術會議如IEDM、ISSCC、VLSI等發表多項次世代記憶體的先驅技術。而他創辦的欣銓科技，證實晶圓級測試為可行的商業模式，更成為尖端半導體生產過程中不可或缺的一環，也獲得美國哈佛大學商學院(HBS)納為推廣教案。

盧志遠博士浸潤半導體界超過30年，積極鑽研電子元件及材料科技，發表超過 500篇學術及技術論文，更擁有160餘項國際專利。由於對半導體界的貢獻良多，盧博士獲得許多國內外獎項及榮耀肯定，包括美國電機電子學會IEEE千禧傑出獎章、潘文淵文教基金會研究傑出獎、有科技研發工程師界奧斯卡獎之稱的IEEE Frederik Philips Award及國家最高榮譽科學研究獎項總統科學獎等，更獲得美國物理學會APS Fellow、IEEE Fellow、中華民國科技管理學會院士、工研院院士、中研院院士、台大傑出校友、交大名譽博士等榮銜。

TWAS成立於1983年，旨在協助發展中國家從事科學研究與開發應用，成員涵蓋發展中國家之傑出科學家，今年十二月選出36位2020年新任院士，除了盧博士，中研院院長廖俊智也同時獲選為院士。當選該科學院院士或獲頒相關獎項，不僅代表學者個人的成就，更代表所屬國家對於全球推展科學之持續關懷與付出。