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東芝推出第二代650V碳化矽蕭特基位障二極體
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部 報導】   2017年01月23日 星期一

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東芝半導體與儲存產品公司宣布推出第二代650V碳化矽(SiC)蕭特基位障二極體(SBDs),該產品提升了公司現行產品的湧浪順向電流(IFSM)約70%。8個碳化矽蕭特基位障二極體的新產品線也即將出貨。

東芝推出第二代650V碳化矽蕭特基位障二極體,湧浪順向電流提升70%、降低切換損失RON*Qc指數30%。
東芝推出第二代650V碳化矽蕭特基位障二極體,湧浪順向電流提升70%、降低切換損失RON*Qc指數30%。

東芝表示,此款碳化矽蕭特基位障二極體採用東芝第二代碳化矽的製程製造,相較第一代產品提升了70%的湧浪順向電流,且同時降低切換損失的“RON*Qc”指數約30%,使其適合用於高效率的功率因素修正方案。

新產品有4A, 6A, 8A, 和10A四種額定電流,用非絕緣的「TO-220-2L」或絕緣的「TO-220F-2L」包裝。這些產品有助於改善4K大銀幕液晶電視、投影機和多功能印表機的電源供應器效率,以及電信基地台和PC伺服器的工業設備。

關鍵字: SiC  SBDs  4K螢幕  電信基地台  PC伺服器  東芝(Toshiba
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