英特爾(INTC-US)宣布和美光(MU-US)的閃存合作即將發生變化，雙方的合作會一直持續到 2019 年初，這個項目完成後，英特爾和美光將會正式分道揚鑣。

英特爾日前宣布，與美光的閃存合作將在2018年繼續研究第三代3D NAND的研發與生產，並且將持續到 2019 年年初，在此之後雙方將不再合作。

目前，英特爾和美光正在進行第二代 64 層 3D 閃存的增產工作，所以近期內不會出現太多的合作變動。

兩家公司已經同意在這一技術節點之後，雙方將獨立開發3D NAND，以便更好地為各自的業務需求優化技術和產品。至於兩者最重要的3D XPoint傲騰閃存，英特爾稱，他們仍舊會在猶他州的Lehi工廠聯合研發製造。

英特爾表示，獨立之後二者將能抽出更多精力優化自身產品並提供更好的服務給客戶，分開之後不會對路線圖和技術節點造成影響。

英特爾非易失性存儲解決方案部門高級副總裁兼總經理Rob Crooke說，英特爾的3D NAND和Optane技術路線圖為客戶應對當下的眾多計算和儲存需求提供了強大的解決方案。

Rob Crooke表示，英特爾和美光科技建立了成功的長期合作關係，令雙方受益匪淺。現在，NAND 開發合作關係已經發展到了適當階段，是時候讓兩家公司致力於各自專注的市場。

美光科技技術開發執行副總裁Scott DeBoer則指出，「美光與英特爾的合作由來已久，我們期待在未來各自進行 NAND 開發的同時繼續就其他項目與英特爾合作。」

Scott DeBoer說，「我們 3D NAND 技術的開發路線圖非常穩固，計劃在我們業界領先的 3D NAND 技術基礎上，將極具競爭力的產品推向市場。」

據AnandTech分析，英特爾和美光的市場屬性不同，英特爾只願意將美光提供的閃存給自己的SSD用，而美光則急於參與全球競爭，想把閃存賣給更多客戶，尤其是手機廠商，這或許是「分手」的主要原因。

AnandTech猜測，也可能是NAND堆疊層數破百之後，需要調整String Stacking的堆疊方式，兩家公司對此看法不同，因而分手。

另一個可能是，目前3D NAND的生產主流是電荷儲存式（Charge trap），三星電子等都採用此一方式，英特爾／美光是唯一采用浮閘（floating gate）架構的業者。也許是兩家公司中有一家想改採電荷儲存式架構，但是此舉等於坦承失敗，代表從2D NAND轉換成3D NAND後，續用浮閘是錯誤決定，因而鬧翻。

對普通消費者來說，這次「分手」具有很多積極的意義。內存市場今後產品更拓寬，新的技術也應該會更快推出，多頭競爭應使內存的價格更趨於合理。

參考：國際電子商情網

圖：TheNerdMag